CSD96497 NexFET™ 功率级是一种高度优化的设计,适用于高功率、高密度同步降压转换器。该产品集成了驱动IC和功率MOSFET,以完成功率级开关功能。这种组合在小型 5 mm × 6 mm 外形封装中产生大电流、高效率和高速开关能力。它还集成了精确的电流检测和温度检测功能,以简化系统设计并提高精度。此外,PCB封装也经过优化,有助于缩短设计时间并简化整个系统设计的完成。
*附件:csd96497q5mc.pdf
特性
- 65A 连续工作电流能力
- 30 A 时超过 93.5% 的系统效率
- 高频工作(高达 1.25 MHz)
- 带 FCCM 的二极管仿真模式
- 温度补偿双向电流检测
- 模拟温度输出
- 故障监控 - OTP、HS OCP 和短路保护
- 兼容 3.3V 和 5V PWM 信号
- 三态PWM输入
- 集成自举开关
- 优化的死区时间,实现击穿保护
- 高密度 QFN 5 mm × 6 mm 封装
- 超低电感封装
- 系统优化的PCB封装
- DualCool™ 包装
- 符合 RoHS 标准的无铅端子电镀
- 无卤素
参数

1. 核心特性
- 高性能参数:支持65A连续工作电流,系统效率>93.5%(30A时),最高工作频率1.25 MHz。
- 智能保护功能:集成过温保护(OTP)、高侧过流保护(HS OCP)、短路保护及温度补偿双向电流检测。
- 兼容性设计:支持3.3V/5V PWM信号,三态PWM输入,集成自举开关和优化的死区时间防止直通。
- 先进封装:5mm×6mm QFN双面散热(DualCool™)封装,超低电感设计,符合RoHS标准。
2. 典型应用
- 高频/大电流同步降压转换器(如VR12.x/VR13.x CPU供电)
- 负载点(POL)DC-DC转换器
- 显卡/内存供电、网络通信设备高电流POL
3. 关键设计优势
- 高度集成:将驱动IC与功率MOSFET整合,简化PCB布局,降低寄生参数。
- 精准监测:提供模拟温度输出(TAO)和故障标志(FLT),支持二极管仿真模式(FCCM)。
- 热优化:温度补偿电流检测和裸露焊盘设计提升散热性能。
4. 封装与生产信息
- 封装规格:12引脚VSON-CLIP(DMC),卷带包装(250/2500每卷)。
- 机械数据:提供推荐PCB焊盘图案、钢网开孔及3D封装尺寸图。
- 环保认证:符合RoHS豁免条款,无卤素。