CSD95378BQ5M NexFET™ 智能功率级是一种高度优化的设计,适用于高功率、高密度同步降压转换器。该产品集成了驱动IC和功率MOSFET,以完成功率级开关功能。这种组合在小型
5 mm × 6 mm 外形封装中产生大电流、高效率和高速开关能力。它还集成了精确的电流检测和温度检测功能,以简化系统设计并提高精度。此外,PCB 封装经过优化,有助于缩短设计时间并简化整个系统设计的完成。
*附件:csd95378bq5m.pdf
特性
- 60A 连续工作电流能力
- 30 A 时系统效率为 93.4%
- 30 A 时低功耗损耗为 2.8 W
- 高频工作(高达 1.25 MHz)
- 带FCCM的二极管仿真模式
- 温度补偿双向电流检测
- 模拟温度输出(0°C 时为 400 mV)
- 故障监控
- 兼容 3.3V 和 5V PWM 信号
- 三态 PWM 输入
- 集成自举二极管
- 优化死区时间以实现击穿保护
- 高密度 SON 5 mm × 6 mm 封装
- 超低电感封装
- 系统优化的PCB封装
- 符合 RoHS 标准 – 无铅端子电镀
- 无卤素
参数

方框图

1. 核心特性
- 高性能参数:支持60A连续工作电流,系统效率达93.4%(30A时),功率损耗仅2.8W(30A)。
- 高频操作:支持最高1.25MHz开关频率,集成二极管仿真模式(FCCM可切换)。
- 监测功能:
- 双向温度补偿电流检测
- 模拟温度输出(0°C时400mV)
- 故障保护(高侧短路、过流、过热)
- 兼容性:支持3.3V/5V PWM信号,集成自举二极管,优化死区时间防止直通。
- 封装:5mm×6mm SON超低电感封装,符合RoHS标准。
2. 典型应用
- 多相同步降压转换器(高频/大电流场景)
- 负载点(POL)DC-DC转换器
- 内存/显卡供电
- 服务器/桌面VR11.x/VR12.x核心电压转换
3. 关键设计说明
- 引脚功能:
- BOOT/VSW:自举电容连接,驱动控制FET
- PWM:三态输入控制MOSFET开关
- TAO/FAULT:温度模拟输出(支持多相并联监测)
- 电气参数:
- 输入电压范围:4.5V-16V
- 工作温度:-40°C至125°C
- ESD防护:HBM 2000V/CDM 500V
4. 热管理与封装
- 热阻:结到外壳(RθJC)15°C/W
- 推荐PCB焊盘与钢网开孔设计(见文档第8-9页)
5. 版本与订购信息
- 文档版本:SLPS504B(2017年7月修订)
- 封装选项:
- 2500片大卷带(LSON-CLIP)
- 250片小卷带(CSD95378BQ5MT)
6. 附加资源
- 支持多相控制器(如TPS40428)参考设计
- 提供TI E2E社区技术支持链接