Texas Instruments UCC44273单通道栅极驱动器是一款高速低侧栅极驱动器,可有效驱动MOSFET和IGBT功率开关。该驱动器在12VDD 下提供4A源和4A汇(对称驱动)峰值驱动电流能力。UCC44273栅极驱动器可以向电容负载提供和吸收高峰值电流脉冲,从而提供轨到轨驱动能力和13ns的小传播延迟。该单通道栅极驱动器的工作电压范围为4.5V至18V,工作温度范围为-40°C至140°C。UCC44273驱动器非常适合功率因数校正(PFC)级、住宅空调(HVAC)、开关模式电源(SMPS)和电机驱动。
数据手册:*附件:Texas Instruments UCC44273单通道栅极驱动器数据手册.pdf
特性
- 4A峰值源灌对称驱动器
- 能够在输入端处理负电压 (-5V)
- 快速传播延迟:13ns(典型值)
- 快速上升和下降时间(9ns和7ns典型值)
- 4.5V至18V单电源范围
- 工作温度范围:-40°C至+140°C
- 磁滞逻辑阈值,实现高抗噪性
- 在V
DD UVLO期间,输出保持低电平(确保加电和断电时无干扰运行) - TTL和CMOS兼容输入逻辑阈值(与电源电压无关)
- 当输入引脚悬空时输出保持低电平
- 输入引脚绝对最大电压电平不受 V
DD 引脚偏置电源电压的限制 - 行业标准引脚排列
- 5引脚DBV(SOT-23)封装选项
典型应用图

Texas Instruments UCC44273单通道栅极驱动器技术解析
一、产品核心特性
UCC44273是德州仪器(TI)推出的工业级单通道低侧栅极驱动器,具有以下突出特性:
驱动性能:
- 对称驱动能力:4A峰值源电流/4A峰值灌电流
- 超快开关特性:
- 典型传播延迟:13ns
- 典型上升时间:9ns@12V
- 典型下降时间:7ns@12V
- 宽供电范围:4.5V至18V单电源
- 支持-5V负压输入容限
保护特性:
- 集成VDD欠压锁定(UVLO)保护
- 输入悬空时自动拉低输出
- 工作结温范围-40°C至140°C
逻辑兼容性:
- TTL/CMOS兼容输入阈值
- 高电平阈值2.2V(典型)
- 低电平阈值1.2V(典型)
- 1V宽滞回电压增强抗噪能力
- 输入电压不受VDD偏置电压限制
二、关键技术创新
1. 混合输出级架构
- 并联MOSFET结构:采用P沟道与N沟道MOSFET并联设计
- 导通瞬间激活N-MOSFET提供瞬时大电流(米勒平台区)
- 稳态时由P-MOSFET维持导通状态
- 有效阻抗优化:
- 下拉电阻(ROL):0.5Ω(典型值@12V)
- 上拉等效电阻:1.4×ROL(约0.7Ω)
2. 增强型保护机制
- 三级电源监控系统:
- VDD UVLO阈值:4.2V(典型值)
- 输入负压钳位:-5V容限
- 输出级有源下拉:UVLO时锁定输出低电平
- 故障安全设计:
- 输入开路保护:内部230kΩ下拉电阻
- 输出互锁防穿通:死区时间<5ns
三、典型应用设计
1. 开关电源驱动方案
关键参数配置:
- 栅极电阻选择:
- Rg=2.2Ω(实现约2.4A峰值电流)
- 无外部关断电阻(Rg_off=0Ω)
- 自举电路设计:
- 推荐100nF+1μF并联去耦电容
- 紧贴VDD引脚布局(距离<3mm)
2. PCB布局规范
| 模块 | 设计要求 | 参数指标 |
|---|
| 功率回路 | 回路面积≤5mm² | 2oz铜厚 |
| 栅极走线 | 长度≤25mm | 避免90°拐角 |
| 热设计 | 使用4×0.3mm过孔阵列散热 | θJA=197.9°C/W |
四、性能参数详解
1. 电气特性(12V供电典型值)
- 静态电流:
- 开关特性:
- 输入到输出延迟:13ns
- 上升时间:9ns(1.8nF负载)
- 下降时间:7ns(1.8nF负载)
2. 热性能参数
| 参数 | 值(DBV封装) | 单位 |
|---|
| 结到环境热阻(θJA) | 197.9 | °C/W |
| 结到板热阻(θJB) | 92.6 | °C/W |
| 结到顶部特征参数(ψJT) | 70.8 | °C/W |
五、应用场景推荐
1. 工业电源系统
- PFC功率因数校正电路
- 服务器电源模块
- 工业AC/DC转换器
2. 电机驱动
3. 宽禁带器件驱动
- GaN功率开关驱动
- SiC MOSFET栅极驱动
- 低压大电流应用场景