新品 | 第二代CoolSiC™ MOSFET 1200V Q-DPAK封装分立器件产品扩展

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第二代CoolSiC MOSFET 1200V 

Q-DPAK封装分立器件产品扩展

 

CoolSiC 1200V MOSFET（顶部散热Q-DPAK单管封装）专为工业应用设计，适用于电动汽车充电、光伏、不间断电源（UPS）、固态断路器（SSCB）、工业驱动、人工智能（AI）及网联自动驾驶汽车（CAV）等领域。

 

Q-DPAK封装通过简化组装流程并保持卓越的散热性能，帮助客户降低系统成本。与底部散热方案相比，顶部散热器件可实现更优化的PCB布局，从而降低寄生元件和杂散电感的影响，同时提供增强的热管理性能。

 

产品型号：

■ IMCQ120R007M2H

■ IMCQ120R010M2H

■ IMCQ120R017M2H

 

 

产品特点

 

SMD顶部散热封装

低杂散电感设计

采用CoolSiC MOSFET 1200V第二代技术，具备增强的开关性能和FOM系数

.XT扩散焊

模塑化合物（CTI＞600）及模塑槽（CD＞4.8mm）

优异的耐湿性能

具备雪崩鲁棒性、短路耐受能力及功率循环可靠性

 

应用价值

 

更高功率密度

支持自动化组装

简化设计复杂度

卓越的热性能表现

降低系统功率损耗

支持950V RMS工作电压

高可靠性设计

降低总体成本

 

竞争优势

 

更高的功率密度

相比BSC封装显著提升热性能

简化电气设计流程

 

应用领域

 

光伏

电动汽车充电

不间断电源UPS

固态断路器

AI

工业驱动

CAV