电子设备变得越来越智能,需要使用更多的 LED 来进行动画和指示,并且需要高性能 LED 矩阵驱动器以小尺寸的解决方案来改善用户体验。
LP5867 是一款高性能 LED 矩阵驱动器。这些器件集成了 6 个恒流吸收器和 N 个 (N = 7) 开关 MOSFET,以支持 N × 6 个 LED 点或 N 个 × 2 个 RGB LED。LP5867 集成了 7 个 MOSFET,用于多达 42 个 LED 点或 14 个 RGB LED。
*附件:lp5867.pdf
LP5867 支持模拟调光和 PWM 调光方法。对于模拟调光,每个 LED 点可以调节 256 级。对于 PWM 调光,集成的 8 位或 16 位可配置 PWM 发生器可实现平滑、无噪声的调光控制。每个LED点也可以任意映射到8位组PWM中,共同实现调光控制。
LP5867 器件实现了完全可寻址的 SRAM,以最大限度地减少数据流量。集成了重影消除电路,以消除上行和下行重影。LP5867 还支持 LED 开路和短路检测功能。LP5867 提供 1MHz(最大)I2C 和 12MHz(最大)SPI。
特性
- LED矩阵拓扑:
- 6 个恒流接收器,带 7 个扫描开关,用于 42 个 LED 点
- 可配置为 1 至 7 个扫描开关
- 工作电压范围:
- VCC/VLED范围:2.7V至5.5V
- 逻辑引脚兼容 1.8V、3.3V 和 5V
- 6个高精度恒流灌电流:
- 当VCC≥3.3V时,每个电流吸收为0.1mA-50mA
- 器件间误差:当通道电流 = 50mA 时 ±3%
- 通道间误差:当通道电流 = 50mA 时为 ±3%
- 相移,实现平衡瞬态功率
- 超低功耗:
- 关断模式:当EN = Low时,ICC ≤ 1μA
- 待机模式:当 EN = 高电平和 CHIP_EN = 0 时 ICC ≤ 10μA(数据保留)
- 有源模式:ICC = 4.2mA (典型值),通道电流 = 5mA
- 灵活的调光选项:
- 每个 LED 点的单独开/关控制
- 模拟调光(电流增益控制)
- 所有 LED 点的全局 7 级最大电流 (MC) 设置
- 3组7位色流(CC)RGB设置
- 每个 LED 点的单独 8 位点电流 (DC) 设置
- PWM调光,无噪音频率
- 全局 8 位 PWM 调光,适用于所有 LED 点
- 3组可编程的8位PWM调光,用于LED点任意映射
- 每个LED点的单独8位或16位PWM调光
- 完全可寻址的 SRAM,可最大限度地减少数据流量
- 单独的 LED 点开/短检测
- 去重影和低亮度补偿
- 接口选项:
- 1MHz (最大值) I2C接口,当IFS = Low时
- 12MHz (最大值)SPI接口,当IFS = 高电平时
参数

1. 产品概述
LP5867是德州仪器(TI)推出的高性能7×6 LED矩阵驱动芯片,支持42个LED点或14个RGB像素的控制。其核心特点包括:
- 矩阵拓扑:集成6个恒流吸电流端(CSR0-CSB1)和7个扫描开关(SW0-SW6),支持1-7行灵活配置。
- 宽电压范围:VCC/VLED工作电压2.7V-5.5V,逻辑引脚兼容1.8V/3.3V/5V。
- 高精度电流控制:每通道电流0.1mA-50mA(VCC≥3.3V),器件间误差±3%(50mA时)。
- 低功耗设计:关断模式电流≤1μA,待机模式≤10μA,主动模式典型值4.2mA(5mA输出时)。
2. 关键特性
- 调光方式
- 模拟调光:支持全局7步最大电流(MC)、3组7位颜色电流(CC)及每LED点8位点电流(DC)调节。
- PWM调光:8位/16位可配置PWM,支持全局/分组/独立控制,频率62.5kHz/125kHz(无音频噪声)。
- 接口选项:1MHz I2C或12MHz SPI接口,支持多设备同步(VSYNC信号)。
- 保护功能:LED开路/短路检测、热关断(160°C触发)、欠压锁定(UVLO)。
3. 应用场景
- 便携式电子设备(如智能手机、平板电脑)
- 可穿戴设备(智能手表、健身追踪器)
- 物联网(IoT)设备状态指示与动画效果
4. 技术细节
- 封装信息:24引脚DSBGA(2.55mm×1.80mm)。
- 电气特性:
- 恒流输出饱和电压:0.45V@50mA,0.35V@10mA
- 高边PMOS导通电阻:310mΩ@5V/200mA
- PWM相位偏移:125ns(可选,平衡瞬态功耗)
5. 功能模式
- 数据刷新模式:
- 模式1:8位PWM即时刷新
- 模式2/3:8位/16位PWM帧同步(需VSYNC信号)
- 工作状态:关机→硬件POR→待机→正常模式→热关断(自动恢复)。
6. 设计支持
- 典型应用电路:内置LDO需外接1μF VCAP电容,VCC/VLED建议1μF去耦电容。
- 布局建议:缩短SWx走线宽度>CSy,优化散热焊盘设计。