‌LP5864 LED矩阵驱动器技术文档总结

描述

电子设备变得越来越智能,需要使用更多的 LED 来进行动画和指示,并且需要高性能 LED 矩阵驱动器以小尺寸的解决方案来改善用户体验。

LP586x 器件是高性能 LED 矩阵驱动器系列。该器件集成了 18 个恒流灌电流和 N 个 (N = 1/2/4/6/8/11) 开关 MOSFET,以支持 N 个 × 18 个 LED 点或 N 个 × 6 个 RGB LED。LP5864 集成了 4 个 MOSFET,用于多达 72 个 LED 点或 24 个 RGB LED。
*附件:lp5864.pdf

LP5864 支持模拟调光和 PWM 调光方法。对于模拟调光,每个 LED 点可以调节 256 级。对于 PWM 调光,集成的 8 位或 16 位可配置 PWM 发生器可实现平滑、无噪声的调光控制。每个LED点也可以任意映射到8位组PWM中,共同实现调光控制。

LP5864器件实现了完全可寻址的SRAM,以最大限度地减少数据流量。集成了重影消除电路,以消除上行和下行重影。LP5864 还支持 LED 开路和短路检测功能。均为 1 MHz(最大值)I^2^LP5864 提供 C 和 12 MHz(最大)SPI。

特性

  • LED矩阵拓扑:
    • 18 个恒流接收器,带 4 个扫描开关,用于 72 个 LED 点
    • 可配置为 1 至 4 个扫描开关
  • 工作电压范围:
    • V CC /VLED的范围:2.7 V 至 5.5 V
    • 逻辑引脚兼容 1.8 V、3.3 V 和 5 V
  • 18个高精度恒流灌电流:
    • 当 V 时,每个电流吸收 0.1 mA–50 mA CC ≥ 3.3 伏
    • 设备到设备错误:±5%
    • 通道间误差:±5%
    • 相移,实现平衡瞬态功率
  • 超低功耗:
    • 关机模式:I CC ≤ 2 uA 当 EN = 低电平时
    • 待机模式:ICC当 EN = 高电平且 CHIP_EN = 0 时≤ 10 uA(保留数据)
    • 活动模式:I CC = 3 mA(典型值),当通道电流 = 5 mA 时
  • 灵活的调光选项:
    • 每个 LED 点的单独开和关控制
    • 模拟调光(电流增益控制)
      • 所有 LED 点的全局 3 位最大电流 (MC) 设置
      • 3 组 7 位颜色电流 (CC) 设置,用于红色、绿色和蓝色
      • 每个 LED 点的单独 8 位点电流 (DC) 设置
    • PWM调光,无噪音频率
      • 全局 8 位 PWM 调光,适用于所有 LED 点
      • 3组可编程的8位PWM调光,用于LED点任意映射
      • 每个LED点的单独8位或16位PWM调光
  • 完全可寻址的 SRAM,可最大限度地减少数据流量
  • 单独的 LED 点开和短路检测
  • 去重影和低亮度补偿
  • 接口选项:
    • 1 MHz(最大值)I^2^当IFS = Low时C接口
    • 12 MHz (最大值) SPI接口,当IFS = 高电平时

参数
短路检测器

方框图

短路检测器

1. 产品概述
LP5864是德州仪器(TI)推出的高性能4×18 LED矩阵驱动芯片,支持72个LED点或24个RGB像素控制。其核心特性包括:

  • 矩阵拓扑‌:集成18路恒流源与4路扫描开关,支持1-4路灵活配置。
  • 宽电压范围‌:VCC/VLED工作电压2.7V-5.5V,逻辑引脚兼容1.8V/3.3V/5V。
  • 高精度调光‌:支持8位模拟调光(电流增益控制)和8/16位PWM调光,单点独立控制。
  • 低功耗设计‌:关机模式电流≤2μA,待机模式≤10μA,工作模式典型值3mA(5mA输出时)。

2. 关键功能

  • 调光技术
    • 模拟调光‌:通过全局3位最大电流(MC)、3组7位色电流(CC)及单点8位点电流(DC)实现256级调节。
    • PWM调光‌:支持全局/分组/单点PWM控制,频率可选62.5kHz或125kHz,相位偏移技术降低电流冲击。
  • 保护机制‌:LED开路/短路检测、热关断(160°C触发)、欠压锁定(UVLO)。
  • 接口选项‌:1MHz I²C或12MHz SPI通信,支持多设备同步。

3. 应用场景

  • 键盘/鼠标/游戏外设的LED动画
  • 智能家居设备(如音箱、家电)状态指示
  • 服务器/交换机光学模块的恒流驱动

4. 电气特性

  • 输出电流范围‌:0.1mA-50mA(VCC≥3.3V),器件/通道间误差±5%。
  • 开关导通电阻‌:310-570mΩ(VLED=5V时)。
  • PWM频率‌:62.5kHz/125kHz(无音频噪声)。

5. 封装与设计

  • 封装‌:32引脚VQFN(4mm×4mm),带裸露焊盘散热。
  • 布局建议‌:电源去耦电容需靠近芯片,扫描线(SWx)布线宽于恒流源(CSx)以降低阻抗。

6. 开发支持

  • 提供完整的寄存器映射表(如Dev_initial配置扫描数、PWM频率等)。
  • 典型应用电路包含MCU连接示意图及外围元件参数(如1μF VCAP电容)。

该文档详细涵盖了芯片功能、参数、接口协议及设计指南,适用于需要高密度LED控制的应用开发。

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