派恩杰第三代1200V SiC MOSFET产品优势

1200V SiC MOSFET是派恩杰推出的一系列高性能碳化硅功率器件，具有卓越的栅氧层可靠性和优异的高温特性，专为高压、高频、高温应用设计。相比传统硅基MOSFET，SiC MOSFET提供更低的导通电阻和更高的开关频率，能够有效提高功率密度、减小系统体积提升整体效率，并有助于降低系统散热与成本。

产品型号

P3M12040K4SG2

P3M12040K4S

P3M12040K4G2

P3M12030G7

P3M12018K4

P3M12018T7

P3M12030L8

I3M12045K4

P3M12080T7i

P3M12080L8

P3M12120K3

P3M12018PQ

P3M12040K4L

产品优势

先进的平面栅工艺及小元胞尺寸

低导通电阻与高载流能力

低开关损耗

良好的封装与兼容性

强可靠性及车规级应用经验

应用领域

新能源发电及并网：光伏逆变器、风电变流器

工业与能源存储：储能系统(ESS)、工业电机驱动

电力传输与配电：低压直流输电(HVDC 辅助环节)、直流配电网

数据中心 HVDC 供电系统：功率因数校正(PFC)电路、DC/DC 转换模块

电动汽车及充电桩：高压车载充电机(OBC)、直流快充桩

派恩杰 1200V 碳化硅 MOSFET 通过平衡性能与成本，为中高压电力电子系统提供了高效、可靠的解决方案，尤其在新能源和能源转型相关领域具有较强的应用潜力。具体型号的参数(如导通电阻、电流等级等)可通过我们的官方网站查看 datasheet，以匹配您的具体应用场景的需求。

派恩杰半导体

成立于2018年9月的第三代半导体功率器件设计和方案商，国际标准委员会JC-70会议的主要成员之一，参与制定宽禁带半导体功率器件国际标准。发布了100余款650V/1200V/1700V SiC SBD、SiC MOSFET、GaN HEMT功率器件，其中SiC MOSFET芯片已大规模导入国产新能源整车厂和Tier 1，其余产品广泛用于大数据中心、超级计算与区块链、5G通信基站、储能/充电桩、微型光伏、城际高速铁路和城际轨道交通、家用电器以及特高压、航空航天、工业特种电源、UPS、电机驱动等领域。