Texas Instruments TLVM13660 6A降压电源模块是一款高度集成的36V、6A直流/直流解决方案，集成多个功率MOSFET 、一个屏蔽式电感器和多个无源器件，采用增强型HotRod™ QFN封装。该模块的~~VIN~ 和VOUT~ 引脚位于封装的边角处，可优化输入和输出电容器在布局中的放置。模块下方的四个较大散热焊盘在制造中可实现简单布局和轻松搬运。

数据手册：*附件：Texas Instruments TLVM13660 6 A降压电源模块数据手册.pdf

Texas Instruments TLVM13660具有1V到16V的输出电压，旨在快速、轻松实现小尺寸PCB的低EMI设计。总体解决方案仅需四个外部元件，并且省去了设计流程中的磁性和补偿元件选择过程。

虽然TLVM13660模块的设计目的是在空间受限的应用中实现小尺寸和简洁性，但其具有诸多特性，可实现稳健的性能。这些特性包括用于可调输入电压UVLO的带迟滞精密使能、用于提高EMI的电阻可编程开关节点压摆率、集成VCC 、自举和用于提高可靠性与密度的输入电容器。这些器件还在整个负载电流范围内具有恒定开关频率、负输出电压能力，以及用于排序、故障保护和输出电压监控的PGOOD指示器。

特性

• 多功能同步降压直流/直流电源模块
  • 集成MOSFET、电感器和控制器
  • 宽输入电压范围：3V至36V
  • 可调输出电压范围为1V至6V，在整个温度范围内设定精度为1%
  • 5.0mm × 5.5mm × 4mm超模压塑料封装
  • 结温范围：–40°C至125°C
  • 可调频率范围：200kHz至2.2MHz
  • 负输出电压应用功能
• 在整个负载范围内的超高效率
  • 95%+峰值效率
  • 用于提升效率的外部偏置选项
  • 关断时的静态电流为：0.6µA（典型值）
  • 典型压差：0.8V（6A负载时）
• 超低传导和辐射EMI签名
  • 具有双输入路径和集成电容器的低噪声封装可降低开关振铃
  • 电阻器调节的开关节点压摆率
  • 恒定频率FPWM工作模式
  • 符合CISPR 11和32 B类发射要求
• 适用于可扩展电源
  • 与 TLVM13640（36V、4A）引脚兼容
• 固有保护特性可实现稳健设计
  • 精密使能输入和漏极开路PGOOD指示器（用于时序、控制和VIN UVLO）
  • 过流和热关断保护

功能框图

TLVM13660同步降压电源模块技术解析与应用指南

Texas Instruments的TLVM13660是一款高集成度的同步降压DC/DC电源模块，本文将基于官方数据手册全面解析其技术特性、设计要点和典型应用方案。

一、核心特性概述

TLVM13660是一款3V至36V宽输入、1V至6V可调输出、6A输出的高密度电源解决方案，采用增强型HotRod™ QFN封装（5.0mm × 5.5mm × 4mm）。其主要技术亮点包括：

‌1. 高效率设计‌

• 峰值效率可达95%以上
• 外部偏置选项可进一步提升效率
• 关断静态电流仅0.6 µA（典型值）
• 6A负载下典型压降电压0.8V

‌2. 卓越的EMI性能‌

• 双输入路径和集成电容的低噪声封装设计
• 电阻可调开关节点压摆率
• 恒定频率FPWM工作模式
• 符合CISPR 11和32 Class B辐射标准

‌3. 集成保护功能‌

• 精密使能输入和开漏PGOOD指示
• 过流和热关断保护
• -40°C至125°C结温范围

二、关键参数详解

1. 电气特性参数

• ‌输入电压范围‌：3V至36V（启动时需要≥3.95V）
• ‌输出电压范围‌：1V至6V可调（精度±1%）
• ‌开关频率范围‌：200kHz至2.2MHz（通过RT引脚调节）
• ‌输出电流能力‌：连续6A（需考虑温度降额）
• ‌使能阈值‌：上升1.263V（典型），下降0.91V

2. 热特性参数

• ‌热阻参数‌：
  • 结到环境(4层PCB)：22.6°C/W
  • 结到顶部：1°C/W
  • 结到板：12.3°C/W
• ‌热关断阈值‌：168°C（典型）
• ‌最大工作结温‌：125°C

三、引脚功能与应用设计

1. 关键引脚配置

引脚	名称	功能描述
1,16	VIN1,VIN2	电源输入，需就近布置输入电容
2	SW	开关节点，避免外接元件
3,4	CBOOT,RBOOT	用于调节开关节点压摆率
10	FB	反馈输入，连接电阻分压器
12	RT	频率设置（200k-2.2MHz）
13	PG	开漏电源良好指示

2. 典型外围电路设计

‌输入电容选择‌：

• 最小2×10µF陶瓷电容（X7R/X7S介质）
• 推荐TDK C3216X7R1H106K或Murata GRM32ER71H106KA12L
• 布局时对称布置在VIN1/VIN2附近

‌输出电容选择‌：

• 最小电容要求取决于输出电压（参见表8-1）
• 5V输出时推荐2×47µF陶瓷电容（如GRM32ER71A476ME15L）
• 添加前馈电容（CFF）可改善相位裕度

‌反馈电阻计算‌：
RFBT = RFBB × (VOUT/VFB - 1)，其中VFB=1V
推荐RFBB=10kΩ，例如5V输出时RFBT=40.2kΩ

四、典型应用方案

1. 工业用高效6A降压方案

‌设计参数‌：

• 输入：9-36V（UVLO 6V开启/4.3V关闭）
• 输出：5V@6A
• 频率：1MHz（RRT=13kΩ）

‌性能表现‌：

• 24V输入时效率：轻载95%，满载91.4%
• 负载调整率：±1%
• 符合CISPR 32 Class B EMI标准

2. 负压输出的反激降压-升压方案

‌设计要点‌：

• 输出能力：IOUT(max) = ILDC(max) × (1 - D)
• -5V输出时最大电流约4A（24V输入）
• 需注意右半平面零点对环路稳定的影响

五、PCB布局指南

1. ‌热设计‌：

• 使用4层板（2oz铜厚）
• 在模块下方布置密集散热过孔阵列（≥0.3mm直径）
• 顶层和底层采用大面积铜皮散热

2. ‌EMI优化布局‌：

• 输入/输出电容对称布置实现磁场抵消
• 开关节点区域严格控制铜面积
• FB走线尽可能短，远离噪声源

3. ‌接地策略‌：

• 分离功率地(PGND)和模拟地(AGND)
• AGND引脚（6,11）直接连接到PGND引脚19下方

六、设计辅助工具

TI提供完整的开发支持资源：

• ‌WEBENCH®设计工具‌：在线生成定制化方案
• ‌快速启动计算器‌：辅助元件选型
• ‌EVM评估模块‌：参考设计（原理图/布局文件）
• ‌仿真模型‌：SPICE行为模型