Texas Instruments UCC27624/UCC27624-Q1双通道栅极驱动器是高速低侧栅极驱动器，可有效驱动MOSFET、IGBT、SiC和GaN功率开关。此系列驱动器的典型峰值驱动强度为5A，可缩短功率开关的上升和下降时间、降低开关损耗并提高效率。该器件具有快速传播延迟（典型值为17ns），可改善系统的死区时间优化、控制环路响应，提高脉宽利用率和瞬态性能，从而提高功率级效率。UCC27624-Q1符合汽车应用类AEC-Q100标准。此系列驱动器可用于汽车直流-直流转换器、电机驱动器、太阳能电源和脉冲变压器驱动器。

数据手册：

*附件：UCC27624数据手册.pdf

*附件：UCC27624-Q1 数据表.pdf

UCC27624/UCC27624-Q1可在输入端处理–10V的电压，通过平缓的接地反弹提高系统稳健性。该输入与电源电压无关，可连接大多数控制器输出，从而获得最大控制灵活性。独立使能信号支持独立于主控制逻辑控制功率级。发生系统故障时，栅极驱动器可通过下拉使能快速关闭。许多高频开关电源在功率器件的栅极处有噪声，其会注入栅极驱动器的输出引脚，导致驱动器发生故障。凭借其瞬态反向电流和反向电压能力，该器件能够耐受功率器件或脉冲变压器的栅极噪声，并避免驱动器故障。

UCC27624/UCC27624-Q1具有欠压锁定（UVLO）功能，可提高系统稳健性。当没有足够的偏置电压来全面增强功率器件时，强大的内部下拉MOSFET可使栅极驱动器输出保持在低电平。

特性

• 每个通道的拉电流和灌电流均为5A（典型值）
• 输入和使能引脚能够处理–10V电压
• 输出能够处理-2V瞬态电压
• 绝对最大VDD 电压：30V
• 宽VDD 工作电压范围：4.5V至26V，带UVLO
• 两个独立的栅极驱动通道
• 各输出有独立的使能功能
• 磁滞逻辑阈值，实现高抗噪性
• VDD 独立输入阈值（兼容TTL）
• 快速传播延迟（17 ns典型值）
• 快速上升和下降时间（3.5ns和6ns典型值）
• 两个通道间典型延迟匹配：1ns
• 两个通道可通过并联获得更大输出电流。
• SOIC-8和VSSOP-8 PowerPAD™封装选项
• 工作结温范围：–40°C至150°C
• 符合汽车应用标准 (UCC27624-Q1)
  • 符合AEC-Q100标准
    • 器件温度1级
    • 器件HBM ESD分类等级H1C
    • 器件CDM ESD分类等级C6

功能框图

UCC27624双通道低侧栅极驱动器技术解析

产品概述

Texas Instruments的UCC27624是一款高性能双通道低侧栅极驱动器，具有5A峰值驱动能力和-10V输入耐压特性。该器件专为驱动MOSFET、IGBT、SiC和GaN功率开关而优化，工作电压范围为4.5V至26V，采用SOIC-8、VSSOP-8和WSON-8封装选项。

关键特性

驱动性能

• ‌5A峰值‌ 源电流和灌电流能力
• ‌17ns典型‌ 传播延迟
• ‌1ns通道间延迟匹配‌
• 支持-10V至30V的输入电压范围

保护功能

• ‌4.1V UVLO开启阈值‌ (3.8V关闭阈值)
• 输出可承受-2V瞬态电压
• 集成使能功能(ENx引脚)
• 工作结温范围：-40°C至+150°C

引脚功能解析

引脚	名称	类型	描述
1	ENA	输入	通道A使能(内部200kΩ上拉)
2	INA	输入	通道A输入(内部120kΩ下拉)
3	GND	-	接地参考
4	INB	输入	通道B输入
5	OUTB	输出	通道B输出
6	VDD	电源	偏置电源(4.5-26V)
7	OUTA	输出	通道A输出
8	ENB	输入	通道B使能

电气参数详解

静态特性

• ‌静态电源电流‌：0.6mA典型值(EN=高电平)
• ‌输入高阈值‌：2V典型值(1.8-2.3V范围)
• ‌输入低阈值‌：1V典型值(0.8-1.2V范围)

动态特性(CLOAD=1.8nF)

• ‌上升时间‌：6ns典型值(10ns最大值)
• ‌下降时间‌：10ns典型值(14ns最大值)
• ‌最小输入脉宽‌：15ns

典型应用设计

电源设计建议

1. ‌VDD旁路电容‌：
   • 1μF陶瓷电容(靠近器件)
   • 0.1μF陶瓷电容(最近距离<1mm)
2. ‌栅极电阻选择‌：
   • 根据开关速度和EMI需求调整
   • 典型值范围：0-10Ω

PCB布局要点

• ‌功率回路最小化‌：减少源极电感
• ‌星型接地‌：单点连接驱动器和功率器件
• ‌热设计‌：
  • VSSOP封装需利用散热焊盘
  • 推荐使用4层板设计

应用场景

1. ‌ 开关电源(SMPS) ‌：
   • 提供快速开关以减少开关损耗
   • 适用于高频DC/DC转换器设计
2. ‌电机驱动‌：
   • 双通道可驱动H桥上下管
   • 高驱动能力支持大电流IGBT
3. ‌太阳能逆变器‌：
   • 宽工作电压适应不同母线电压
   • 高抗噪能力适合光伏环境
4. ‌PFC电路‌：
   • 快速传播延迟优化控制环路
   • 通道并联可提供10A驱动能力

设计注意事项

1. ‌热管理计算‌：
   • 功率损耗P = Qg×VDD×fsw
   • 示例：Qg=60nC，VDD=12V，fsw=300kHz时P=0.432W
2. ‌并联使用‌：
   • 连接INA与INB
   • 连接OUTA与OUTB
   • 实现10A峰值驱动能力
3. ‌使能功能‌：
   • 轻载时可关闭驱动以提升效率
   • 故障时快速关断功率管

封装信息

封装类型	尺寸(mm)	热阻(°C/W)
SOIC-8	4.9×3.91	126.4(JA)
VSSOP-8	3.0×3.0	54.7(JA)
WSON-8	3.0×3.0	48.9(JA)