Texas Instruments LP5866 6x18 LED矩阵驱动器集成了6个MOSFET,用于多达108点LED点阵或36个RGB LED。驱动器LP5866支持模拟调光和PWM调光方法。对于模拟调光,每个LED点均可进行256级调整。对于PWM调光,集成的8位或16位可配置PWM发生器可让调光控制平顺、无可闻噪声。每个LED点也可任意映射到8位群组PWM中,从而实现调光控制。
数据手册:*附件:Texas Instruments LP5866 6x18 LED矩阵驱动器数据手册.pdf
Texas Instruments LP5866实现了完整的可寻址SRAM,可最大限度地减少数据流量。集成了重影消除电路,可消除上下重影。LP5866还支持LED开路和短路检测功能。1MHz(最大值)I^2^C和12MHz(最大值)SPI在LP5866中均有提供。
特性
- LED矩阵拓扑结构
- 18个恒定电流阱,6个扫描开关,用于108个LED点
- 可配置为1至6个扫描开关
- 工作电压范围
- V
CC /VLED范围:2.7V至5.5V - 逻辑引脚兼容1.8 V、3.3 V和5 V
- 灵活的调光选择
- 单独开/关控制,用于每个LED点
- 模拟调光(电流增益控制)
- 全局3位最大电流 (MC) 设置,用于所有LED点
- 三组7位彩色电流 (CC) 设置,用于红色、绿色和蓝色
- 单独8位点电流 (DC) 设置,用于每个LED点
- PWM调光,无可闻噪声频率
- 全局8位PWM调光,用于所有LED点
- 三组可编程8位PWM调光,用于LED点任意映射
- 单独8位或16位PWM调光,用于每个LED点
- 8个高精度恒定电流阱
- 每电流吸收器:0.1mA至50mA(VCC≥3.3V时)
- 器件间误差:±3%(通道电流=50mA时)
- 通道间误差:±3%(通道电流=50mA时)
- 相移,实现平衡瞬态功率
- 超低功耗
- 关机模式:当EN = 低电平时,I
CC ≤ 1uA - 待机模式:当EN = 高电平且CHIP_EN = 0时,I
CC ≤ 10uA(保留数据) - 工作模式:I
CC = 4.3mA(典型值)当通道电流 = 5 mA时
- 完全可寻址SRAM,可最大限度地减少数据流量
- 单个LED点开路/短路检测
- 去光和低亮度补偿
- 接口选项
- IFS = 低电平时,1MHz(最大值)I^2^C接口
- IFS = High时,12MHz(最大值)SPI接口
简化示意图

LP5866 LED矩阵驱动器技术解析与应用指南
一、LP5866概述
Texas Instruments的LP5866是一款高性能6×18 LED矩阵驱动器芯片,专为现代电子设备的LED动画和指示需求设计。该器件集成了18个恒流吸收端和6个扫描开关,可驱动多达108个单色LED点或36个RGB LED(6×6×3)。其主要特点包括:
- 宽电压工作范围:VCC/VLED 2.7V至5.5V,逻辑引脚兼容1.8V/3.3V/5V系统
- 高精度电流输出:每路0.1mA-50mA可调,器件间误差±3%(50mA时)
- 超低功耗设计:关机模式≤1μA,待机模式≤10μA(LP5866MDBT为15μA)
- 双模调光控制:支持8位模拟调光和8/16位PWM调光
- 灵活接口:1MHz I2C或12MHz SPI接口可选
二、核心架构与工作原理
1. 矩阵扫描架构
LP5866采用时分复用矩阵方案,通过6个高端PMOS开关和18个恒流吸收端的组合实现108个LED点的控制。扫描时序包含三个阶段:
- PWM激活期(tPWM):8μs(125kHz)或16μs(62.5kHz)
- 开关消隐期(tSW_BLK):0.5-1μs可配置
- 相位偏移期(2×tphase_shift):0或125ns可选
完整子周期时间计算公式:
tsub_period = (tPWM + tSW_BLK + 2×tphase_shift) × Scan_line#
2. 消隐与补偿技术
- 上消隐(Up_Deghost):通过放电扫描线消除意外弱导通
- 下消隐(Down_Deghost):预充电电流吸收端电压
- 低亮度补偿:三组独立补偿(CS0/3/6/9/12/15;CS1/4/7/10/13/16;CS2/5/8/11/14/17)
三、调光控制机制
1. 模拟调光(电流增益控制)
输出电流计算公式:
IOUT = IOUT_MAX × (CC/127) × (DC/255)
三级控制层级:
- 全局最大电流(MC):3位设置(3-50mA,8级)
- 分组颜色电流(CC):7位设置(3组,128级)
- 单点校正电流(DC):8位设置(256级)
2. PWM调光控制
支持三种PWM控制模式:
- 独立PWM:每个LED点8/16位可调
- 分组PWM:3组8位控制(通过LED_DOT_GROUP寄存器映射)
- 全局PWM:8位统一控制
最终PWM占空比计算:
- 8位模式:
PWM_Final = PWM_Individual × PWM_Group × PWM_Global - 16位模式:
PWM_Final = PWM_Individual × PWM_Group × PWM_Global
四、关键电气特性
| 参数 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
|---|
| 工作电压 | VCC | 2.7V | - | 5.5V |
| 输出电流 | VCC≥3.3V | 0.1mA | - | 50mA |
| 器件间误差 | 50mA时 | - | - | ±3% |
| 通道间误差 | 50mA时 | - | - | ±3% |
| PWM频率 | PWM_Fre=1 | - | 62.5kHz | - |
| PWM_Fre=0 | - | 125kHz | - |
| 饱和电压 | 50mA时 | - | 0.45V | - |
五、典型应用设计
1. 电源设计建议
- VCC引脚:需并联1μF电容(紧靠器件)
- VCAP引脚:需1μF电容(紧靠器件)
- VLED引脚:需1μF电容(紧靠器件)
2. 接口配置
- I2C模式(IFS=Low):最高1MHz,需上拉电阻
- SPI模式(IFS=High):最高12MHz
3. 典型应用场景
- 键盘/鼠标/游戏外设的LED动画
- 智能家居设备状态指示
- 音频设备(智能音箱、混音器等)光效
- 网络设备(交换机、服务器)状态灯
六、设计注意事项
- 热管理:RθJA为31.4°C/W(VQFN封装),需注意散热设计
- ESD防护:HBM±3000V,CDM±1000V
- 开路/短路检测:支持单点LED开路(>0.25V)和短路(
- 相位控制:建议启用PWM_Phase_Shift(125ns)以降低电源纹波