UCC21351-Q1 是一款隔离式双通道栅极驱动器系列,具有可编程死区时间和宽温度范围。它采用 4A 峰源电流和 6A 峰灌电流设计,可驱动功率 MOSFET、SiC 和 IGBT 晶体管。
UCC21351-Q1 可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过3kVRMS隔离栅与两个输出驱动器隔离,共模瞬态抗扰度(CMTI)最小为125V/ns。
保护功能包括:电阻可编程死区时间、同时关闭两个输出的禁用功能,以及集成的去毛刺滤波器,可抑制短于 5ns 的输入瞬变。所有电源均具有 UVLO 保护。
*附件:ucc21351-q1.pdf
凭借所有这些高级功能,UCC21351-Q1 器件可在各种电源应用中实现高效率、高功率密度和鲁棒性。
特性
- 通用:双低侧、双高侧或半桥驱动器
- AEC-Q100 认证,结果如下
- 结温范围 –40 至 +150°C
- 高达 4A 峰值源和 6A 峰值灌电流输出
- 共模瞬态抗扰度 (CMTI) 大于 125V/ns
- 高达 25V VDD 输出驱动电源
- 切换参数:
- 33ns典型传播延迟
- 5ns 最大脉宽失真
- 最大VDD上电延迟为10μs
- 适用于所有电源的 UVLO 保护
- 快速使能电源排序
参数

方框图

1. 核心特性
- 高驱动能力:4A峰值源电流/6A峰值灌电流输出,支持MOSFET、SiC和IGBT驱动。
- 隔离设计:3kVRMS隔离屏障,CMTI >125V/ns,确保高低压侧安全隔离。
- 灵活配置:可配置为双低侧、双高侧或半桥驱动器。
- 保护功能:
- 可编程死区时间(通过DT引脚电阻设置)。
- 集成去毛刺滤波器(抑制<5ns的输入瞬态)。
- 所有电源均带UVLO保护(VDD/VCCI)。
- 快速响应:传播延迟33ns(典型值),脉宽失真<5ns。
2. 关键参数
- 电源要求:
- VCCI(输入侧):3.0V–5.5V(UVLO阈值2.7V/2.5V)。
- VDD(输出侧):
- 12V UVLO选项:13.5V–25V(开启阈值12.5V,关闭阈值11.5V)。
- 17V UVLO选项:19V–25V(开启阈值17.6V,关闭阈值16.6V)。
- 温度范围:-40°C至+150°C(AEC-Q100 Grade 1认证)。
- 封装:14引脚SOIC(DWK),推荐布局需考虑散热(RθJA=74.1°C/W)。
3. 功能描述
- 输入逻辑:
- INA/INB/EN引脚兼容TTL/CMOS电平,内置下拉电阻(90kΩ典型值)。
- EN引脚高电平启用输出,低电平强制关闭(建议悬空时接VCCI抗噪)。
- 死区控制:
- DT引脚悬空或接VCCI:禁用死区(输出可重叠)。
- DT接电阻(1.7kΩ–100kΩ):设定死区时间(公式:DT(ns)=8.6×RDT(kΩ)+13)。
- 主动下拉:UVLO时输出钳位至~1.5V,防止功率管误开通。
4. 典型应用
- 汽车电子:车载充电器(OBC)、HVAC系统、车身控制模块。
- 电源转换:高压DC-DC变换器、半桥/全桥拓扑。
- 布局建议:
- VDD/VSS旁路电容需低ESR/ESL,靠近器件放置。
- 输入信号线需加RC滤波(如INA/INB:R=10–100Ω,C=10–100pF)。
5. 安全与认证
- 绝缘性能:
- 工作隔离电压:1200V(重复峰值)、850V(持续RMS)。
- 通过UL 1577、VDE 0884-17认证,污染等级2。
- 热管理:单通道最大功耗450mW(需根据环境温度降额使用)。