‌UCC27302A 半桥驱动器技术文档总结

该UCC27302A是一款坚固耐用的栅极驱动器，设计用于驱动两个半桥或同步降压配置的N沟道MOSFET，绝对最大自举电压为120V。其3.7A峰值源电流和4.5A峰值灌电流能力使UCC27302A能够驱动大功率MOSFET，并在通过米勒高原的过渡过程中将开关损耗降至最低。开关节点（HS引脚）可以处理负瞬态电压，从而保护高侧通道免受寄生电感和杂散电容引起的固有负电压的影响。

输入与电源电压无关，能够承受-10V和+20V绝对最大额定值。低侧和高侧栅极驱动器在彼此的导通和关断之间匹配为4ns，并分别通过LI和HI输入引脚进行控制。但是，每当 LI 和 HI 输入同时为高电平时，输入互锁逻辑将使两个驱动器输出变为低电平。片内120V额定自举二极管无需添加分立自举二极管。为高侧和低侧驱动器提供欠压锁定 （UVLO），提供对称的导通和关断行为，并在驱动电压低于指定阈值时强制输出为低电平。
*附件：ucc27302a.pdf

特性

• 驱动两个半桥配置的 N 沟道 MOSFET
• –40°C 至 +150°C 结温范围
• HB 引脚上的 120V 绝对最大电压
• 3.7A 源电流，4.5A 灌电流输出电流
• 7V 至 17V VDD 工作范围（最大 20V 绝对值），带 UVLO
• –（28–VDD）V 绝对值HS引脚上的最大负瞬态容差（<100ns脉冲）
• –10V 至 +20V abs 最大输入引脚容差，与电源电压范围无关（TTL 兼容）
• 切换参数：
  • 20ns典型传播延迟时间
  • 1000pF负载时，上升时间为7.2ns，下降时间为5.5ns
  • 4ns典型延迟匹配
• 集成自举二极管
• 输入联锁
• 禁用时以低电流消耗（典型值3μA）启用/禁用功能（仅限DRC封装）

参数

方框图

‌1. 产品概述‌
UCC27302A是德州仪器（TI）推出的高性能半桥驱动器，专为驱动两个N沟道MOSFET设计，适用于同步降压或半桥配置。关键特性包括：

• ‌电压范围‌：120V绝对最大HB引脚电压，7V-17V VDD工作范围（20V绝对最大值）
• ‌驱动能力‌：3.7A源电流/4.5A灌电流
• ‌温度范围‌：-40°C至+150°C结温
• ‌集成功能‌：内置120V自举二极管、输入互锁逻辑、使能/禁用控制（仅DRC封装）

‌2. 核心特性‌

• ‌快速开关性能‌：20ns典型传播延迟，7.2ns上升/5.5ns下降时间（1000pF负载）
• ‌抗干扰设计‌：输入引脚可耐受-10V至+20V电压，独立于供电电压
• ‌保护机制‌：高低侧UVLO（欠压锁定）、负瞬态电压耐受（HS引脚支持-28V瞬态）
• ‌封装选项‌：DDA（带PowerPAD™的SOIC-8）、D（SOIC-8）、DRC（VSON-10，支持使能功能）

‌3. 典型应用‌

• 太阳能功率优化器和微逆变器
• 电信/工业电源、UPS系统
• 储能系统、电池测试设备

‌4. 功能模块详解‌

• ‌输入互锁‌：当HI和LI输入同时为高时，强制关闭输出防止直通。
• ‌ 使能控制（DRC封装） ‌：EN引脚拉高启用，拉低或悬停时仅消耗3μA静态电流。
• ‌自举电路‌：集成二极管简化外部设计，需外接0.022-0.1μF电容。
• ‌电平转换‌：高速低功耗，确保高低侧信号同步。

‌5. 电气参数‌

• ‌UVLO阈值‌：VDD上升阈值5.7V（典型），HB上升阈值5.3V（典型）
• ‌开关特性‌：4ns典型延迟匹配，优化死区时间
• ‌ESD防护‌：HBM 2000V，CDM 1500V

‌6. 设计注意事项‌

• ‌布局建议‌：低ESR旁路电容需靠近器件引脚，减少寄生电感。
• ‌负压处理‌：HS引脚瞬态负压需通过外部肖特基二极管钳位（如HO-HS间）。
• ‌噪声抑制‌：输入引脚建议添加1-10nF滤波电容。