UCC27624V-Q1 是一款双通道、高速、低侧栅极驱动器,可有效驱动 MOSFET、IGBT 和 SiC 功率开关。UCC27624V-Q1 的典型峰值驱动强度为 5A,可减少电源开关的上升和下降时间,降低开关损耗并提高效率。该器件的快速传播延迟(典型值为 17ns)通过提高系统的死区时间优化、脉冲宽度利用率、控制环路响应和瞬态性能,从而产生更好的功率级效率。
*附件:ucc27624v-q1.pdf
UCC27624V-Q1 可以在其输入端处理 –10V,这提高了具有中等接地反弹系统的鲁棒性。输入与电源电压无关,可以连接到大多数控制器输出,以实现最大的控制灵活性。独立的使能信号允许独立于主控逻辑控制功率级。在发生系统故障时,栅极驱动器可以通过将使能拉低来快速关闭。许多高频开关电源在功率器件的栅极处都会出现噪声,噪声会注入栅极驱动器的输出引脚,从而导致驱动器发生故障。该器件的瞬态反向电流和反向电压能力使其能够承受功率器件或脉冲变压器栅极上的噪声,并避免驱动器故障。
UCC27624V-Q1 还具有欠压锁定 (UVLO) 功能,可提高系统稳健性。当没有足够的偏置电压来充分增强功率器件时,栅极驱动器输出由强大的内部下拉MOSFET保持低电平。
特性
参数
方框图

1. 产品概述
UCC27624V-Q1是德州仪器(TI)推出的汽车级双通道低侧栅极驱动器,专为驱动MOSFET、IGBT和SiC功率开关设计。其核心特性包括:
2. 关键特性
3. 应用场景
4. 功能描述
5. 性能参数
6. 设计优势
7. 典型应用图
驱动双开关拓扑(如PFC电路),通过独立使能引脚实现灵活控制,外部栅极电阻(Rg)优化开关速率。
文档结构
包含特性、引脚配置、电气规格、时序图、典型曲线及详细应用指南,覆盖设计、布局和热管理建议。
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