Microchip Technology SP6LI mSiC™ MOSFET模块评估板设计用于SP6LI低电感SiC模块测试，采用顶部安装数字栅极驱动器解决方案。该板简化了设计过程，降低了与大功率模块集成相关的风险。SP6LI mSiC™ 模块评估板提供了一个可扩展平台，用于推动节能和高性能电力电子系统的创新。

数据手册：*附件：Microchip Technology SP6LI MSC™ MOSFET模块评估板用户指南.pdf

特性

• 快速评估和优化SP6LI碳化硅 (SiC) 模块的开关特性
• 创建可扩展的高功率密度设计
• 最大限度地缩短开发时间，加快产品上市速度

电路板概述

Microchip SP6LI mSiC™ MOSFET模块评估板技术解析

评估板概述

Microchip Technology的SP6LI mSiC™ MOSFET模块评估板(MSCDR-SP6LIEVB-001)是一款专为SP6LI低电感SiC模块测试而设计的一站式开发平台，集成了顶部安装的数字栅极驱动器解决方案。该评估板支持高达900VDC的母线电压，为工程师提供了完整的功率模块测试环境。

主要技术特性

硬件架构设计

1. ‌功率模块支持‌：设计用于SP6LI封装的Microchip mSiC MOSFET模块，如MSCSM120AM02CT6LING等型号
2. ‌电压支持‌：终端块连接器支持+VBUS电压高达900VDC(相对于-VBUS)
3. ‌电流测量‌：提供Rogowski线圈接口用于漏极和源极侧的电流测量
4. ‌测试点配置‌：包括高/低侧栅极信号(VGS)和VDS电压的测试点
5. ‌电容网络‌：包含132μF薄膜电容和2mF等效总容值的电解电容

PCB设计参数

• ‌层数‌：4层FR4板材
• ‌厚度‌：2mm
• ‌工艺‌：通孔(PTH)PCB结构
• ‌尺寸‌：详细机械图纸见用户指南1.4节

应用测试功能

双脉冲测试配置

评估板特别优化了双脉冲测试(DPT)功能：

• 专用端子块用于连接电感负载
• 高低侧开关均可独立测试
• 提供完整测试原理图和PCB布局图

动态饱和(DSAT)测试

评估板支持过电流保护测试：

• 可设置高达900A的过流条件
• 高低侧均可进行DSAT测试
• 提供标准测试设置和结果参考

典型测试结果

基于600VDC母线电压和400A负载电流的测试数据：

1. ‌开通特性‌：
   • 高侧开关开通损耗与电流过冲关系曲线
   • 低侧开关开通瞬态波形特征
2. ‌关断特性‌：
   • 高侧开关关断电压过冲与损耗关系
   • 低侧开关关断瞬态波形特征
3. ‌DSAT性能‌：
   • 高侧在900A过流条件下的保护响应
   • 低侧过流保护触发波形

设计资源

评估板配套提供完整的设计文件：

• 详细原理图(章节1.2)
• PCB各层布局图(TOP/Inner1/Inner2/Bottom)
• 机械安装图纸
• 完整物料清单(BOM)

应用建议

该评估板特别适用于：

1. SiC功率模块的开关特性评估
2. 栅极驱动器性能验证
3. 高频功率电路原型开发
4. 新能源和电动汽车相关电力电子研究