‌UCC2773x-Q1 汽车级700V半桥栅极驱动器技术文档总结

UCC2773x-Q1 是一款 700V 半桥栅极驱动器，具有 3.5A 源电流和 4A 灌电流能力，旨在驱动功率 MOSFET 和 IGBT。该器件由一个接地基准通道 （LO） 和一个浮动通道 （HO） 组成，设计用于驱动半桥配置的 MOSFET 和使用自举电源工作的 IGBT。该器件具有强大的驱动功能，具有出色的噪声和瞬态抗扰度，包括输入端的大负电压容差、高dV/dt容差、开关节点（HS）上的宽负瞬态安全工作区（NTSOA）和互锁。

该器件接受10V至21V的宽偏置电源输入，并为VDD和HB偏置电源引脚提供UVLO保护。UCC2773x-Q1 采用各种封装，额定工作温度范围为 –40°C 至 150°C。
*附件：ucc27734-q1.pdf

特性

• 符合 AEC-Q100 标准，适用于汽车应用
  • 设备温度等级 1
• 高侧、低侧配置，具有独立输入
• 最大自举电压为 +700V（HB 引脚）
• 4A 灌电流峰值输出电流，3.5A 源电流
• 典型 32ns 传播延迟
• HO/LO之间的传播延迟匹配在最大6ns以内
• VDD 偏置电源范围为 10V 至 21V
• 能够处理 –6V 的输入引脚
• 专为引导作而设计的浮动通道
• HS引脚上最大共模瞬态抗扰度为200V/ns
• 输入联锁功能（UCC2773x-Q1）
• 两个通道均内置 8V 欠压锁定 （UVLO）
• SOIC 14引脚封装，SOIC 8引脚封装

参数

方框图

‌1. 核心特性‌

• ‌汽车级认证‌：通过AEC-Q100 Grade 1认证，支持-40°C至150°C工作温度。
• ‌高性能驱动‌：峰值输出电流4A（灌电流）/3.5A（源电流），传播延迟低至32ns（典型值），通道间延迟匹配≤6ns。
• ‌高压支持‌：最大自举电压700V（HB引脚），支持200V/ns共模瞬态抗扰度（HS引脚）。
• ‌灵活供电‌：VDD偏置电压范围10V-21V，兼容TTL/CMOS输入逻辑。
• ‌保护功能‌：
  • 双通道欠压锁定（UVLO）：VDD与HB电压监测。
  • 输入互锁功能（防止上下管直通）。
  • 负瞬态安全工作区（NTSOA）：HS引脚支持-9V瞬态（HB-HS=12V时）。

‌2. 应用场景‌

• ‌新能源‌：电动汽车充电器（OBC）、储能系统（BESS）DC/AC转换。
• ‌工业电源‌：服务器/电信电源、白色家电PFC及电机驱动。
• ‌桥式拓扑‌：半桥/全桥LLC、移相全桥、双晶体管正激变换器。

‌3. 关键设计要点‌

• ‌自举电路‌：
  • 推荐CBOOT≥10倍栅极电容（典型值100nF），DBOOT选用快恢复二极管。
  • 可选RBOOT（如2.2Ω）限制充电电流。
• ‌布局优化‌：
  • 缩短HO/LO至MOSFET的走线，降低寄生电感。
  • VDD与HB引脚就近放置低ESR陶瓷电容（如1μF X7R）。
• ‌栅极电阻‌：典型值3.01Ω，平衡开关速度与振铃抑制。

‌4. 封装与型号差异‌

• ‌UCC27734-Q1‌：SOIC-8封装（3.91mm×4.90mm），无EN引脚。
• ‌UCC27735-Q1‌：SOIC-14封装（3.91mm×8.65mm），支持EN引脚快速关断（响应时间32ns）。

‌5. 功耗估算‌
驱动87nC栅极电荷的MOSFET时：

• 总损耗≈111mW（100kHz开关频率）。
• 动态损耗主导（如栅极电荷损耗占261mW，驱动IC分摊102mW）。