2025年9月24日至26日,为期三天的PCIM Asia展会已于今日圆满落幕。
MDD辰达半导体携五大核心产品矩阵精彩亮相,与业界专家、合作伙伴共赴一场功率电子技术盛宴,感谢每一位莅临展位交流的朋友。
01聚焦三大技术亮点
中低压大电流MOS系列
全工艺平台:覆盖平面/沟槽/SGT/SJ多种先进工艺
优异参数表现:高抗浪涌能力,内阻低至0.6mΩ,支持大电流应用
多样化封装:提供多种封装选择,满足不同场景需求
高效开关特性:低反向恢复电荷Qrr=10nC,显著提升系统效率
FRD快恢复二极管
高压应用支持:耐压最高达1200V,适用高压环境
快速恢复能力:反向恢复时间低至35ns,优化开关性能
强劲抗浪涌:高抗浪涌电流能力,增强系统可靠性
SiC碳化硅器件
先进技术平台:采用第三代SiC MOSFET技术
高压低阻特性:高耐压、低导通电阻,降低系统损耗
高频优势:高开关频率,助力系统小型化设计
02现场盛况回顾
展会期间,MDD团队与来自新能源汽车、工业控制、光伏储能等领域的客户进行了深入交流,并获得了与会者的密切关注。
03未来合作展望
通过此次展会,MDD辰达半导体不仅展示了技术实力,更与众多潜在客户建立了初步合作意向。虽然PCIM Asia展会已圆满结束,但MDD辰达半导体技术创新的脚步永不停歇。我们将持续深耕功率半导体领域,为客户提供更优质的产品和解决方案。
关 于 我 们
深圳辰达半导体有限公司(简称MDD辰达半导体)是一家专注于半导体分立器件研发设计、封装测试及销售的国家高新技术企业。
公司深耕半导体领域17载,始终坚持以产品技术为驱动,以客户需求为核心,打造涵盖MOSFET、二极管、三极管、整流桥、SiC等全系列、高可靠、高性能的产品服务矩阵,产品广泛应用于新能源汽车、工业控制、消费电子、通信、家电、医疗、照明、安防、仪器仪表等多个领域,服务于全球40多个国家与地区。
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