UCC27735 700V半桥栅极驱动器技术文档总结

描述

UCC2773x 是一款 700V 半桥栅极驱动器,具有 3.5A 源电流和 4A 灌电流能力,适用于驱动功率 MOSFET 和 IGBT。该器件由一个接地基准通道 (LO) 和一个浮动通道 (HO) 组成,设计用于驱动半桥配置的 MOSFET 和使用自举电源工作的 IGBT。该器件具有强大的驱动功能,具有出色的噪声和瞬态抗扰度,包括其输入端的大负电压容限、高 dV/dt 容差、开关节点 (HS) 上的宽负瞬态安全工作区 (NTSOA) 和互锁。
*附件:ucc27735.pdf

该器件接受 10V 至 21V 的宽偏置电源输入,并为 VDD 和 HB 偏置电源引脚提供 UVLO 保护。UCC2773x 采用多种封装,额定工作温度范围为 –40°C 至 150°C。

特性

  • 高侧、低侧配置,具有独立输入
  • 最大自举电压为 +700V(HB 引脚)
  • 4A 灌电流峰值输出电流,3.5A 源电流
  • 典型 32ns 传播延迟
  • HO/LO之间的传播延迟匹配在最大6ns以内
  • VDD 偏置电源范围为 10V 至 21V
  • 能够处理 –6V 的输入引脚
  • 专为引导作而设计的浮动通道
  • HS引脚上最大共模瞬态抗扰度为200V/ns
  • 输入联锁功能(UCC2773x)
  • 两个通道均内置 8V 欠压锁定 (UVLO)
  • SOIC 14引脚封装,SOIC 8引脚封装

参数

MOSFET

方框图

MOSFET

1. 核心特性

  • 高压驱动能力‌:支持最大700V自举电压(HB引脚),200V/ns共模瞬态抗扰度(HS引脚)。
  • 高性能输出‌:峰值输出电流4A(灌电流)/3.5A(源电流),传播延迟低至32ns(典型值),通道间延迟匹配≤6ns。
  • 宽电压范围‌:VDD偏置电压10V-21V,兼容TTL/CMOS输入逻辑。
  • 保护功能‌:
    • 双通道欠压锁定(UVLO):监测VDD与HB电压。
    • 输入互锁功能:防止上下管直通。
    • 负瞬态安全工作区(NTSOA):HS引脚支持-9V瞬态(HB-HS=12V时)。
  • 封装选项‌:SOIC-8(UCC27734)和SOIC-14(UCC27735),后者支持EN引脚快速关断。

2. 应用场景

  • 新能源‌:电动汽车充电器(OBC)、储能系统(BESS)的DC/AC转换。
  • 工业电源‌:服务器/电信电源、白色家电PFC及电机驱动。
  • 桥式拓扑‌:半桥/全桥LLC、移相全桥、双晶体管正激变换器。

3. 关键设计要点

  • 自举电路‌:
    • 推荐CBOOT≥10倍栅极电容(典型值100nF),DBOOT选用快恢复二极管。
    • 可选RBOOT(如2.2Ω)限制充电电流。
  • 布局优化‌:
    • 缩短HO/LO至MOSFET的走线,降低寄生电感。
    • VDD与HB引脚就近放置低ESR陶瓷电容(如1μF X7R)。
  • 栅极电阻‌:典型值3.01Ω,平衡开关速度与振铃抑制。

4. 功耗与效率

  • 动态损耗主导‌:驱动87nC栅极电荷的MOSFET时,总损耗≈111mW(100kHz开关频率)。
  • 静态损耗‌:静态电流低至150μA(VDD=15V时)。

总结‌:UCC2773x系列是专为高压、高噪声环境设计的半桥驱动器,适用于汽车和工业应用,兼具高开关速度与鲁棒性,文档提供了从选型到布板的完整工程指导。

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