该DRV8334是一款用于三相BLDC应用的集成智能栅极驱动器。该器件提供三个半桥栅极驱动器,每个驱动器能够驱动高侧和低侧 N 沟道功率 MOSFET。该DRV8334使用集成自举二极管和GVDD电荷泵产生正确的栅极驱动电压。智能栅极驱动架构支持可配置的峰值栅极驱动电流,从 0.8mA 到 1A 源极和 2A 灌电流。该DRV8334可以使用具有 4.5 至 60V 宽输入范围的单个电源供电。涓流电荷泵可实现100%PWM占空比控制,并为外部开关提供过载电源电压。
该DRV8334提供低侧电流检测放大器,以支持基于电阻的低侧电流检测。放大器的低失调使系统能够获得精确的电机电流测量。
*附件:drv8334.pdf
DRV8334中集成了广泛的诊断和保护功能,可实现稳健的电机驱动系统设计,并有助于消除对外部组件的需求。高度可配置的器件响应使器件能够无缝集成到各种系统设计中。
特性
- 三相半桥栅极驱动器
- 驱动六个 N 沟道 MOSFET (NMOS)
- 4.5 至 60V 宽工作电压范围
- 用于高侧栅极驱动器的自举架构
- 强大的GVDD电荷泵,支持高达50mA的平均栅极开关电流,可在20kHz时驱动400nC MOSFET
- 涓流电荷泵,支持 100% PWM 占空比,并产生过载电源以驱动外部保护电路
- 智能门驱动架构
- 45 级可配置峰值栅极驱动电流,高达 1000 / 2000mA(源极/灌电流)
- 三步动态驱动电流控制
- 可配置的软关断,以最大限度地减少过流关断期间的感性电压尖峰
- 低侧电流检测放大器
- 在整个温度范围内低于1mV的低输入失调
- 9级可调增益
- 基于 SPI 的详细配置和诊断
- DRVOFF 引脚用于独立禁用驱动程序
- 高压唤醒引脚 (nSLEEP)
- 6x、3x、1x 和独立 PWM 模式
- 支持 3.3V 和 5V 逻辑输入
- 集成保护功能
- 电池和电源电压监控器
- 相位反馈比较器
- MOSFET、VDS和Rsense过流监测器
- MOSFET VGS 栅极故障监控器
- 设备热警告和关机
- 故障状态指示器引脚
参数

方框图

1. 核心功能
- 三相半桥栅极驱动:支持6个N沟道MOSFET驱动,工作电压范围4.5-60V,集成自举架构和GVDD电荷泵,可提供高达1000/2000mA(源/吸)的可配置峰值驱动电流。
- 智能栅极驱动技术:45级可调驱动电流、三阶动态电流控制、软关断功能以减少电感电压尖峰。
- 低边电流检测放大器:温度范围内输入偏移<1mV,9级可调增益,支持高精度电机电流测量。
2. 关键特性
- 集成保护功能:包括电源电压监控、MOSFET VDS/VGS故障检测、热警告/关断等。
- 通信接口:基于SPI的详细配置与诊断,支持3.3V/5V逻辑输入。
- 工作模式:支持6x/3x/1x PWM及独立PWM模式,适用于BLDC/PMSM电机控制。
3. 应用领域
- 家电、电动工具、园林设备(如割草机)
- 无人机、工业机器人、电动自行车/滑板车
- 风扇、泵、伺服驱动及真空吸尘器等
4. 技术细节
- 电源管理:集成GVDD电荷泵/LDO(12V输出)、VCP涓流电荷泵(支持100%占空比)。
- 保护机制:VDS过流监测(阈值可编程)、VGS栅极故障检测、多级温度保护(OTW/OTSD)。
- 封装选项:48引脚HTQFP(9x9mm)和QFN(7x7mm),带散热焊盘。
5. 文档结构
- 包含特性描述、引脚定义、电气参数(绝对最大额定值、时序要求)、寄存器映射(状态与控制寄存器)及典型应用电路设计指南。
6. 附加说明
- 提供详细的布局建议(如缩短栅极走线、优化电容放置)和外部元件选型表(如自举电容、电流检测电阻)。