该DRV8952是一款宽电压、高功率、四通道半桥驱动器,适用于各种工业应用。该器件支持高达 55V 的电源电压,集成 MOSFET 具有接近 50mΩ 的导通电阻,采用 DDW 封装,每个输出可承受高达 5A 的电流;PWP封装,每个输出电流高达4A。
该设备可用于驱动多达四个电磁阀或阀门、一个步进电机、两个有刷直流电机、一个 BLDC 或 PMSM 电机以及多达两个热电冷却器(帕尔贴元件)。该器件的输出级由配置为四个独立半桥的N沟道功率MOSFET、电荷泵稳压器、电流检测和调节电路、电流检测输出和保护电路组成。
*附件:drv8952.pdf
高侧MOSFET上的集成电流检测允许器件在负载从输出连接到地时调节电流。电流调节限值可通过可调外部基准电压源 (VREF) 进行设置。该器件采用DDW封装,提供四个比例电流输出引脚,每个半桥高侧FET一个。可选的外部检测电阻器可以从 PGND 引脚连接到系统接地。
提供低功耗睡眠模式以实现超低静态电流。为电源欠压锁定 (UVLO)、电荷泵欠压 (CPUV)、输出过流 (OCP) 和器件过热 (OTSD) 提供内部保护功能。
特性
- 四通道半桥驱动器
- 4.5V 至 55V 工作电源电压范围
- 低RDS(ON):每个FET为50mΩ(24 V,25 °C)
- 大电流容量:
- DDW 封装:每个输出高达 5A
- PWP 封装:每个输出高达 4A
- 可驱动各种类型的负载 -
- 最多四个电磁阀或阀门
- 一个步进电机
- 两个有刷直流电机
- 一个或两个热电冷却器 (TEC)
- 一台三相无刷直流电机
- 一台三相永磁同步电机 (PMSM)
- 集成电流检测和调节
- 高侧 MOSFET 上的电流检测
- 每个半桥 (DDW) 的 IPROPI 输出
- 最大电流下的检测精度为 5%
- 可选外部检测电阻
- 引脚对引脚兼容:
- 独立逻辑电源电压 (VCC) (DDW)
- 可编程输出上升/下降时间 (DDW)
- 可编程故障恢复方法 (DDW)
- 支持 1.8V、3.3V、5.0V 逻辑输入
- 低电流睡眠模式 (3μA)
- 保护功能
- VM 欠压锁定 (UVLO)
- 电荷泵欠压 (CPUV)
- 过流保护 (OCP)
- 热关断 (OTSD)
- 故障条件输出 (nFAULT)
参数

方框图

1. 产品概述
- 型号:DRV8952,55V四通道半桥驱动器,集成电流检测输出(仅DDW封装)。
- 版本:SLOSE83A(2023年3月发布,2025年1月修订)。
- 核心特性:
- 四通道独立控制:支持驱动4个独立负载(如电磁阀、直流电机、步进电机等)。
- 宽电压范围:4.5V至55V工作电压,低导通电阻(典型值56mΩ@24V)。
- 高电流能力:DDW封装每通道5A(峰值),PWP封装每通道4A。
- 集成电流检测(DDW封装):IPROPI引脚输出比例电流(精度±5%),无需外部分流电阻。
- 保护功能:欠压锁定(UVLO)、过流保护(OCP)、热关断(OTSD)等。
2. 关键参数
- 导通电阻:高/低边MOSFET典型值56mΩ(24V, 25°C)。
- 电流能力:
- DDW封装:5A持续电流(每通道),PWP封装:4A持续电流。
- 开关频率:支持最高200kHz PWM输入。
- 睡眠模式:静态电流低至3μA(nSLEEP=0时)。
3. 功能亮点
- 电流检测与调节:
- DDW封装通过IPROPI引脚输出比例电流(212μA/A),结合外部电阻实现电流反馈。
- PWP封装通过VREF电压直接设置电流阈值(KV=0.66V/A)。
- 灵活控制:
- 支持独立PWM控制每通道,可配置为快衰减或慢衰减模式。
- MODE引脚(DDW封装)可调节输出上升/下降时间(70ns或140ns)。
- 保护机制:
- 故障自动恢复(自动重试或需nSLEEP复位)。
- nFAULT引脚输出故障状态(开漏输出)。
4. 典型应用
- 场景:
- 工厂自动化(PLC、机械臂)、医疗设备(成像仪)、舞台灯光控制。
- 驱动负载:4个电磁阀、1个步进电机、2个直流电机、1个三相无刷电机(BLDC)或TEC模块。
- 电路设计:
- 需外接1μF(VCP)、0.1μF(CPH-CPL)电容,建议布局低ESR陶瓷电容靠近VM引脚。
5. 封装与热管理
- 封装:
- DDW:44引脚HTSSOP(14mm×8.1mm),带散热焊盘。
- PWP:28引脚HTSSOP(9.7mm×6.4mm)。
- 热阻:RθJA=22.5°C/W(DDW,四层PCB),需优化散热设计。
6. 对比DRV8845/DRV8962
- 差异点:
- DRV8952支持更高电流(5A vs 4A)和更宽电压范围(55V vs 48V)。
- 集成电流检测(DDW封装),DRV8845需外置检测电阻。
7. 修订历史
- 2025年1月修订版(Rev A)新增PWP封装规格,修正文档排版错误。
8. 设计注意事项
- 热计算:总功耗需考虑导通损耗(P=I²RDS(ON))和开关损耗(PSW≈0.5×VM×I×tRF×fPWM)。
- 布局建议:VM引脚需就近放置0.01μF陶瓷电容+大容量电解电容,散热焊盘多过孔接地。