DRV8955 50V、2.5A、四通道半桥驱动器技术文档总结

描述

该DRV8955为工业应用提供四个可单独控制的半桥驱动器。该器件可用于驱动多达四个螺线管负载、两个直流电机、一个步进电机或其他负载。

每个通道的输出驱动器由配置在半桥中的N沟道功率MOSFET组成。简单的 PWM (IN/IN) 接口允许与控制器轻松连接。提供单独的输入以独立控制每个半桥。此外,输出可以并联在一起,为输出负载提供更多电流。
*附件:drv8955.pdf

该DRV8955采用单电源供电,支持4.5 V至48 V的宽输入电源范围。提供低功耗睡眠模式,通过关闭大部分内部电路来实现低静态电流消耗。提供内部保护功能,用于欠压锁定、每个 FET 上的过流保护、短路保护和过热。故障情况由nFAULT引脚指示。

特性

  • 四通道半桥直流电机驱动器
    • 最多可驱动四个电磁阀负载、两个直流电机、一个步进电机或其他负载
    • 全独立半桥控制
  • 集成电流检测和调节
  • 4.5 V 至 48 V 工作电源电压范围
  • 引脚对引脚兼容 -
  • 行业标准 IN/IN 数字控制接口
  • 半桥可并联以增加输出电流
  • 可配置的关断时间PWM斩波
    • 7、16、24 或 32 μs
  • 支持 1.8 V、3.3 V、5.0 V 逻辑输入
  • 低电流睡眠模式 (2 μA)
  • 扩频时钟,实现低 EMI
  • 保护功能
    • VM 欠压锁定 (UVLO)
    • 电荷泵欠压 (CPUV)
    • 过流保护 (OCP)
    • 热关断 (OTSD)
    • 故障条件输出 (nFAULT)

参数

MOSFET

1. 核心特性

  • 驱动架构‌:集成4个独立半桥,支持驱动4个螺线管负载、2个直流电机、1个步进电机或其他负载。
  • 电压范围‌:
    • 工作电压:4.5V至48V(VM引脚),兼容1.8V/3.3V/5V逻辑输入。
    • 峰值输出电流:2.5A(独立模式)至16A(全桥并联模式)。
  • 控制接口‌:
    • IN/IN模式‌:直接PWM控制,支持快速/慢速衰减模式。
    • 并联配置‌:通过MODE引脚选择半桥并联方式(独立/两两并联/全并联)。
  • 集成电流调节‌:
    • 无需外部分流电阻,通过VREF引脚设置电流阈值(ITRIP = VREF/1.32 V/A)。
    • 可调PWM消隐时间(7/16/24/32μs)。

2. 保护机制

  • 欠压锁定(UVLO) ‌:VM或电荷泵电压不足时禁用输出。
  • 过流保护(OCP) ‌:峰值电流超限触发(4A/8A/16A,依模式而定)。
  • 热关断(TSD) ‌:结温超165°C停机,滞后20°C恢复。
  • 故障指示‌:开漏输出nFAULT引脚。

3. 封装与型号

  • 封装选项‌:
    • HTSSOP-28(PWP) ‌:9.7mm×4.4mm,带散热焊盘。
    • VQFN-24(RGE) ‌:4mm×4mm,超薄设计。
  • 关键参数‌:
    • 导通电阻:165mΩ(高/低侧MOSFET,独立模式)。
    • 热阻:PWP封装RθJA=29.7°C/W,RGE封装RθJA=39°C/W。

4. 典型应用

  • 工业设备‌:冰箱风门、纺织机械、工厂自动化机器人。
  • 家电‌:洗衣机、洗碗机、游戏机。
  • 电流控制‌:
    • 电阻分压设置VREF电压(推荐并联电阻<50kΩ)。
    • 支持固定消隐时间或PWM周期控制模式。

5. 设计要点

  • 布局建议‌:
    • VM引脚需并联0.01μF陶瓷电容+大容量电解电容。
    • 电荷泵需外接0.22μF(VCP)和0.022μF(CPH-CPL)电容。
  • 热管理‌:
    • PWP封装需通过散热焊盘连接PCB地平面,推荐多via散热。
    • 计算示例:24V/1.5A负载下,HTSSOP封装结温约89.8°C(TA=25°C)。

6. 功能模式

MODE设置半桥配置最大电流控制方式
0或悬空4独立半桥2.5AINx直接控制
1两两并联5AIN2/IN4控制并联对
330kΩ电阻接地4独立高阻态-ENx使能控制
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