‌DRV8434E/P 双H桥电机驱动器技术文档总结

描述

DRV8434E/P 器件是双 H 桥电机驱动器,适用于各种工业应用。这些器件可用于驱动两个直流电机或一个双极步进电机。

驱动器的输出级由配置为两个全H桥的N沟道功率MOSFET、电荷泵稳压器、电流检测和调节以及保护电路组成。集成电流检测采用内部电流镜架构,无需大型功率分流电阻,节省电路板面积并降低系统成本。提供低功耗睡眠模式,通过关闭大部分内部电路来实现超低静态电流消耗。为电源欠压锁定 (UVLO)、电荷泵欠压 (CPUV)、输出过流 (OCP) 和器件过热 (TSD) 提供内部保护功能。

DRV8424E/P 能够驱动满量程高达 2.5A 的步进电机或峰值高达 4A 的有刷电机(取决于 PCB 设计)。
*附件:drv8434e.pdf

特性

  • 双 H 桥电机驱动器
    • 一个双极步进电机
    • 双双向有刷直流电机
    • 四个单向有刷直流电机
  • 集成电流检测功能
    • 无需检测电阻
    • ±4% 满量程电流精度
  • 4.5V 至 48V 工作电源电压范围
  • 多种控制接口选项
    • 相位/使能 (PH/EN)
    • PWM(输入/输入)
  • 智能调谐、快速和混合衰减选项
  • 低R DS(开) :330 mΩ HS + LS,24 V,25°C
  • 每个电桥的高电流容量:4A 峰值(有刷),2.5A 满量程(步进)
  • 有刷直流应用中的浪涌电流限制
  • 引脚对引脚兼容 -
  • 可配置的关断时间PWM斩波
    • 7、16、24 或 32 μs
  • 支持 1.8V、3.3V、5.0V 逻辑输入
  • 低电流睡眠模式 (2 μA)
  • 扩频时钟,实现低 EMI
  • 保护功能
    • VM 欠压锁定 (UVLO)
    • 电荷泵欠压 (CPUV)
    • 过流保护 (OCP)
    • 热关断 (OTSD)
    • 故障条件输出 (nFAULT)

参数

MOSFET
1. 核心特性

  • 双H桥架构‌:支持驱动1个双极步进电机、2个双向有刷直流电机或4个单向有刷直流电机。
  • 集成电流检测‌:无需外部检测电阻,全量程电流精度±4%,节省PCB空间和成本。
  • 宽电压范围‌:工作电压4.5V至48V,峰值电流4A(有刷电机)/2.5A全量程(步进电机)。
  • 智能调节技术‌(Smart Tune):支持动态衰减、纹波控制等模式,自动优化电流调节。
  • 低导通电阻‌:330mΩ(HS+LS,24V/25°C)。
  • 多重保护‌:包括欠压锁定(UVLO)、电荷泵欠压(CPUV)、过流保护(OCP)及热关断(OTSD)。

2. 关键参数

  • 控制接口‌:
    • DRV8434E:PH/EN(相位/使能)接口
    • DRV8434P:PWM(IN/IN)接口
  • PWM关断时间‌:可配置为7/16/24/32μs。
  • 逻辑兼容性‌:支持1.8V/3.3V/5V逻辑输入。
  • 休眠模式‌:静态电流低至2μA。

3. 应用领域

  • 打印机、扫描仪、ATM机
  • 纺织机械、办公自动化设备
  • 工业机器人、3D打印机
  • 家电及服务机器人

4. 功能模块详解

  • 电流调节‌:通过VREFx引脚电压设定全量程电流(IFS = VREFx / 1.32 V/A)。
  • 衰减模式‌:支持智能动态衰减、混合衰减(30%快衰减)、快衰减等模式。
  • 保护机制‌:故障通过nFAULT引脚输出,支持自动恢复或锁存模式。

5. 封装选项

  • HTSSOP-28(PWP) ‌:9.7mm×4.4mm,带散热焊盘
  • VQFN-24(RGE) ‌:4.0mm×4.0mm

6. 设计支持

  • 典型电路‌:提供HTSSOP和VQFN封装的参考布局。
  • 热管理建议‌:需根据PCB散热能力调整输出电流,RθJA为29.7°C/W(HTSSOP)或39°C/W(VQFN)。

7. 文档结构

  • 包含特性、引脚定义、电气参数、功能描述及布局指南,完整覆盖设计需求。
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