‌DRV8428 步进电机驱动器技术文档总结

描述

该DRV8428是一款适用于工业和消费类应用的步进电机驱动器。该器件完全集成了两个N沟道功率MOSFET H桥驱动器、一个微步进索引器和集成电流检测。该DRV8428能够驱动高达1A的满量程输出电流(取决于PCB设计)。

该DRV8428采用内部电流检测架构,无需两个外部功率检测电阻,从而节省PCB面积和系统成本。该器件采用内部PWM电流调节方案,可在智能调谐和混合衰减选项之间进行选择。智能调谐可自动调整以实现最佳电流调节,补偿电机变化和老化效应,并降低电机发出的可听噪声。
*附件:drv8428.pdf

简单的STEP/DIR接口允许外部控制器管理步进电机的方向和步进率。该器件可以配置为从全步到1/256微步进的不同步进模式。使用专用的nSLEEP引脚提供低功耗睡眠模式,以实现非常低的待机静态待机电流。为电源欠压、过流、短路和过热提供保护功能。故障情况由EN/nFAULT引脚指示。

特性

  • PWM微步进步进电机驱动器
    • 简单的 STEP/DIR 接口
    • 高达 1/256 微步进分度器
  • 集成电流检测功能
    • 无需检测电阻
    • ±6% 满量程电流精度
  • 智能调谐衰减技术和混合衰减选项
  • 4.2V至33V工作电源电压范围
  • R DS(开) :1500 mΩ HS + LS,24 V,25°C
  • 每桥电流容量:1.7A 峰值、1A 满量程、0.7A rms
  • 可配置的关断时间PWM斩波
    • 7 微秒、16 微秒或 32 微秒。
  • 支持1.8V、3.3V、5.0V逻辑输入
  • 低电流睡眠模式 (2 μA)
  • 用于低电磁干扰 (EMI) 的扩频时钟
  • 小封装和封装
  • 保护功能
    • VM 欠压锁定 (UVLO)
    • 过流保护 (OCP)
    • 热关断 (OTSD)
    • 故障条件输出 (EN/nFAULT)

参数
MOSFET

方框图

MOSFET
1. 核心特性

  • 集成电流检测‌:无需外部检测电阻,全量程电流精度±6%,节省PCB空间和系统成本。
  • 高精度微步进‌:支持1/256微步进,通过STEP/DIR接口控制,减少电机振动和噪声。
  • 智能调节技术‌(Smart Tune):支持动态衰减、混合衰减模式,自动优化电流调节,适应电机老化及负载变化。
  • 宽电压范围‌:工作电压4.2V至33V,峰值电流1.7A(全量程1A,RMS 0.7A)。
  • 低导通电阻‌:1500mΩ(HS+LS,24V/25°C)。
  • 多重保护‌:包括欠压锁定(UVLO)、过流保护(OCP)、热关断(OTSD)及故障输出(EN/nFAULT)。

2. 关键参数

  • 控制接口‌:STEP/DIR(步进/方向)接口,支持1.8V/3.3V/5V逻辑输入。
  • PWM关断时间‌:可配置为7μs、16μs或32μs。
  • 休眠模式‌:静态电流低至2μA。
  • 热性能‌:HTSSOP封装RθJA为46.4°C/W,WQFN封装为47°C/W。

3. 功能模块

  • 电流调节‌:通过VREF引脚电压设定全量程电流(IFS = VREF / 3 V/A)。
  • 衰减模式‌:
    • Smart Tune动态衰减‌:自动调整衰减比例,优化电流纹波。
    • 混合衰减‌:30%快衰减+70%慢衰减。
  • 微步进配置‌:通过M0/M1引脚设置步进模式(全步至1/256微步)。

4. 应用领域

  • 打印机、扫描仪、舞台灯光设备
  • 工业自动化(机器人、纺织机)
  • 安防摄像头、医疗设备
  • 家用及办公自动化

5. 封装选项

  • HTSSOP-16(PWP) ‌:5mm×4.4mm,带散热焊盘
  • WQFN-16(RTE) ‌:3mm×3mm

6. 设计支持

  • 典型电路‌:提供HTSSOP和WQFN封装的参考布局及散热设计建议。
  • 热管理‌:需根据PCB散热能力调整输出电流,避免结温超过150°C。

7. 文档结构

  • 包含特性、引脚定义、电气参数、功能描述及布局指南,完整覆盖硬件设计需求。
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