DRV8426E/P 器件是双 H 桥电机驱动器,适用于各种工业应用。这些器件可用于驱动两个直流电机或一个双极步进电机。
驱动器的输出级由配置为两个全H桥的N沟道功率MOSFET、电荷泵稳压器、电流检测和调节以及保护电路组成。集成电流检测采用内部电流镜架构,无需大型功率分流电阻,节省电路板面积并降低系统成本。提供低功耗睡眠模式,通过关闭大部分内部电路来实现超低静态电流消耗。为电源欠压锁定 (UVLO)、电荷泵欠压 (CPUV)、输出过流 (OCP) 和器件过热 (OTSD) 提供内部保护功能。
*附件:drv8426e.pdf
DRV8426E/P 能够驱动满量程高达 1.5A 的步进电机或峰值高达 2.5A 的有刷电机(取决于 PCB 设计)。
特性
参数

方框图

1. 核心特性
- 双H桥架构:支持驱动1个双极步进电机、2个双向有刷直流电机或4个单向有刷直流电机。
- 集成电流检测:无需外部检测电阻,电流精度±5%,节省PCB空间和成本。
- 宽电压范围:4.5V至33V工作电压,支持2.5A峰值电流(有刷电机)或1.5A全量程电流(步进电机)。
- 智能调节技术:
- Smart tune动态衰减:自动优化衰减模式(慢/混合/快衰减),降低电机噪声。
- Smart tune纹波控制:通过可变关断时间实现精准电流调节。
- 低导通电阻:900mΩ(高边+低边,24V/25°C)。
- 多种控制接口:支持PH/EN(DRV8426E)或PWM(DRV8426P)控制模式。
- 保护功能:欠压锁定(UVLO)、电荷泵欠压(CPUV)、过流保护(OCP)、热关断(OTSD)及故障输出(nFAULT)。
2. 关键功能
- 电流调节:
- PWM斩波控制,关断时间可调(7/16/24/32μs)。
- 通过VREF引脚设置参考电流,公式:IFS(A) = VREF(V)/2.2(V/A)。
- 衰减模式:
- 支持智能动态衰减、纹波控制、固定慢衰减和混合衰减。
- 封装选项:
- HTSSOP-28(PWP):9.7mm×4.4mm,带PowerPAD散热。
- VQFN-24(RGE):4mm×4mm,超小尺寸。
3. 应用场景
- 工业设备:打印机、扫描仪、ATM机、工业机器人。
- 消费电子:家用自动化、玩具机器人。
- 医疗设备:精密仪器驱动。
4. 设计要点
- 电源设计:
- VM引脚需并联0.01μF陶瓷电容和电解电容。
- 电荷泵电容(CPH-CPL)选用0.022μF陶瓷电容。
- 热管理:
- HTSSOP封装RθJA=33°C/W,VQFN封装RθJA=43°C/W。
- 示例:24V供电下,1.12W总功耗时结温约62°C(HTSSOP,TA=25°C)。
5. 版本更新
- 2022年5月(Rev B) :
- 新增典型特性曲线章节。
- 更新HTSSOP和VQFN布局示例。
- 2020年11月(Rev A) :
6. 典型应用电路
- 有刷电机驱动:通过PH/EN或PWM接口控制H桥极性及占空比。
- 步进电机驱动:配置微步进级别(全步至1/256步)及衰减模式。