‌DRV8436E/P 双H桥电机驱动器技术文档总结

DRV8436E/P 器件是双 H 桥电机驱动器，适用于各种工业应用。这些器件可用于驱动两个直流电机或一个双极步进电机。驱动器的输出级由配置为两个全H桥的N沟道功率MOSFET、电荷泵稳压器、电流检测和调节以及保护电路组成。集成电流检测采用内部电流镜架构，无需大型功率分流电阻，节省电路板面积并降低系统成本。提供低功耗睡眠模式，通过关闭大部分内部电路来实现超低静态电流消耗。为电源欠压锁定 （UVLO）、电荷泵欠压 （CPUV）、输出过流 （OCP） 和器件过热 （OTSD） 提供内部保护功能。DRV8436E/P 能够驱动每个 H 桥高达 1.5A 满量程或 1.1A rms 输出电流（取决于 PCB 设计）。
*附件：drv8436e.pdf

特性

• 双 H 桥电机驱动器
  • 一个双极步进电机
  • 双双向有刷直流电机
  • 四个单向有刷直流电机
• 集成电流检测功能
  • 无需检测电阻
  • ±7.5% 满量程电流精度
• 4.5 至 48V 工作电源电压范围
• 多种控制接口选项
  • 相位/启用
  • PWM的
• 智能调谐衰减技术，固定慢速、快速和混合衰减选项
• 低R DS（开） ：900 mΩ HS + LS，24 V，25°C
• 每桥高电流容量：峰值 2.4 A、满量程 1.5 A、1.1 均方根
• 可配置的关断时间PWM斩波
  • 7、16、24 或 32 μs
• 支持 1.8V、3.3V、5.0V 逻辑输入
• 低电流睡眠模式 （2 μA）
• 用于低电磁干扰 （EMI） 的扩频时钟
• 小封装和占地面积
• 保护功能
  • VM 欠压锁定 （UVLO）
  • 电荷泵欠压 （CPUV）
  • 过流保护 （OCP）
  • 热关断 （OTSD）
  • 故障条件输出 （nFAULT）

参数

方框图

‌1. 核心特性‌

• ‌双H桥驱动架构‌
  • 支持驱动：1个双极步进电机、2个双向有刷直流电机或4个单向有刷直流电机。
  • ‌集成电流检测‌：无需外置采样电阻，全量程电流精度±7.5%。
• ‌宽电压范围‌
  • 工作电压4.5-48V，峰值电流2.4A（瞬态），RMS电流1.1A（持续）。
• ‌智能控制技术‌
  • ‌Smart Tune动态衰减‌：自动优化衰减模式（慢/混合/快衰减），适应负载变化。
  • ‌可配置PWM关断时间‌：7/16/24/32μs可选。
• ‌低功耗设计‌
  • 睡眠模式静态电流仅2μA，支持1.8V/3.3V/5V逻辑输入。

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‌2. 关键功能‌

• ‌电流调节‌
  • 通过VREFx引脚设置满量程电流（IFS = VREFx/2.2）。
  • 支持非圆形半步模式（71%电流）以优化高速扭矩。
• ‌多重保护机制‌
  • 包括欠压锁定（UVLO）、电荷泵欠压（CPUV）、过流保护（OCP）、热关断（OTSD）及故障输出（nFAULT）。

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‌3. 应用场景‌

• ‌工业设备‌：打印机、ATM机、纺织机械。
• ‌消费电子‌：IP摄像头、视频会议设备。
• ‌自动化‌：机器人、工厂自动化系统。

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‌4. 封装与版本‌

• ‌封装选项‌
  • HTSSOP-28（9.7mm×4.4mm）或VQFN-24（4mm×4mm）。
• ‌ 版本更新（SLVSFF0B） ‌
  • 2022年7月（Rev B）：新增典型特性曲线，更新布局示例。
  • 2020年8月（Rev A）：文档状态变更为“生产数据”。

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‌5. 设计要点‌

• ‌电源设计‌
  • VM需并联0.01μF陶瓷电容（每引脚）和≥10μF电解电容。
  • 电荷泵电容：CPH-CPL=0.022μF，VCP-VM=0.22μF/16V。
• ‌热管理‌
  • HTSSOP封装RθJA=31.3°C/W，VQFN封装RθJA=41.3°C/W。
• ‌布局建议‌
  • 优先使用4层PCB，缩短电机驱动回路以降低热阻。