‌DRV3220-Q1 汽车级三相栅极驱动器技术文档总结

描述

DRV3220-Q1 桥式驱动器专用于汽车三相无刷直流电机控制应用。该器件为标准级 N 沟道 MOSFET 晶体管提供六个专用驱动器。带有集成 FET 的升压转换器提供过载电压,即使在低至 4.75 V 的低电池电压下,也能完全控制功率级。强大的驱动器强度适用于大电流应用,并可编程以限制峰值输出电流。

该器件集成了强大的 FET 保护和系统监控功能,例如 Q&A 看门狗以及 I/O 电源和 ADC 基准电压的电压监控器。集成的内部诊断功能可以通过 SPI 接口访问和编程。
*附件:drv3220-q1.pdf

特性

  • 符合 AEC-Q100 标准,适用于汽车应用:
    • 器件温度等级 1:–40°C 至 +125°C 环境工作温度
  • 用于电机控制的三相桥式驱动器
  • 适用于 12V 和 24V 应用
  • 集成升压转换器,栅极驱动至 4.75 V
  • 驱动 6 个独立的 N 沟道功率 MOSFET
  • 用于大电流 FET 的强 1A 栅极驱动
  • 可编程死区时间
  • PWM 频率高达 20 kHz
  • 支持 100% 占空比作
  • 短路保护
    • VDS 监控(可调节检测级别)
  • 过压和欠压保护
  • 过热警告和关闭
  • 通过 SPI 进行复杂的故障检测和处理
  • 系统监督
    • 问答看门狗
    • I/O 电源监控
    • ADREF 监控
  • 可编程内部故障诊断
  • 睡眠模式功能
  • 热增强型 48 引脚 HTQFP PowerPAD IC 封装(7 mm × 7 mm 机身)

参数

FET

方框图

FET

1. 核心特性

  • 汽车级认证
    • AEC-Q100 Grade 1(-40°C至125°C环境温度)
    • 适用于12V/24V电池系统,支持4.75V至40V宽电压输入
  • 驱动能力
    • 集成6路N沟道MOSFET驱动,支持1A峰值栅极驱动电流
    • 内置升压转换器(输出4.75V过驱动电压)
  • 保护功能
    • VDS监测可调短路保护、过压/欠压保护
    • 热警告(165°C)及关断(195°C)
    • SPI可编程故障诊断与系统监控(看门狗、电源监测等)

2. 关键参数

参数规格
封装48引脚HTQFP PowerPAD™(7mm×7mm)
PWM频率最高20kHz(支持100%占空比)
死区时间可编程,精度±15%
静态电流睡眠模式30µA,待机模式8.5mA

3. 典型应用

  • 汽车电子‌:电动转向系统(EPS)、电子制动、变速箱控制
  • 工业电机‌:三相无刷直流(BLDC)/永磁同步(PMSM)电机驱动
  • 高可靠性场景‌:符合ISO 26262功能安全要求

4. 功能架构

  • 控制接口
    • 支持3路或6路PWM输入,兼容SPI配置(4MHz时钟)
    • 集成VCC3(3.3V)和VCC5(5V)稳压器供外部MCU使用
  • 栅极驱动
    • 可编程驱动电流(4档位:0.15A/0.65A/1.1A/1.9A)
    • 传播延迟典型值200ns(负载10nF时)
  • 升压电路
    • 内置开关管(Rdson 0.25Ω),支持22µH电感+肖特基二极管拓扑

5. 保护机制

  • 电压监控
    • ADREF/VDDIO过压阈值:3.3V模式(3.696V-3.894V),5V模式(5.6V-5.9V)
    • 电池欠压关断:4.5V(恢复4.6V)
  • 故障诊断
    • 通过ERR引脚和SPI寄存器(STAT0-STAT9)实时反馈故障类型
    • 支持VGS异常检测(高压侧>8.5V或低压侧<2V触发)

6. 设计要点

  • PCB布局建议
    • 功率回路优先使用短而宽的走线
    • 升压电路元件(L1/D1)靠近器件放置以减小寄生电感
    • PowerPAD需通过多过孔连接至底层地平面散热
  • 外围元件选型
    • 栅极电阻(Rgate)根据EMI和开关损耗需求调整
    • VCC5需1µF陶瓷电容,VCC3需0.1µF陶瓷电容去耦
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