‌DRV3205-Q1 汽车级三相栅极驱动器技术文档总结

描述

DRV3205-Q1 桥式驱动器专用于汽车三相无刷直流电机控制应用。该器件为标准级 N 沟道 MOSFET 晶体管提供六个专用驱动器。带有集成 FET 的升压转换器提供过载电压,即使在低至 4.75 V 的低电池电压下,也能完全控制功率级。强大的驱动器强度适用于大电流应用,并可编程以限制峰值输出电流。
*附件:drv3205-q1.pdf

该器件集成了强大的 FET 保护和系统监控功能,例如 Q&A 看门狗以及 I/O 电源和 ADC 基准电压的电压监控器。集成的内部诊断功能可以通过 SPI 接口访问和编程。

特性

  • 符合 AEC-Q100 标准,适用于汽车应用:
    • 器件温度等级 1:–40°C 至 +125°C 环境工作温度
  • 用于电机控制的三相桥式驱动器
  • 适用于 12V 和 24V 应用
  • 三个集成高精度电流检测放大器
  • 集成升压转换器,栅极驱动至 4.75 V
  • 驱动 6 个独立的 N 沟道功率 MOSFET
  • 用于大电流 FET 的强 1A 栅极驱动
  • 可编程死区时间
  • PWM 频率高达 20 kHz
  • 支持 100% 占空比作
  • 短路保护
    • VDS 监控(可调节检测级别)
    • 分流电流限制(可调检测电平)
  • 过压和欠压保护
  • 过热警告和关闭
  • 通过 SPI 进行复杂的故障检测和处理
  • 系统监督
    • 问答看门狗
    • I/O 电源监控
    • ADREF 监控
  • 可编程内部故障诊断
  • 睡眠模式功能
  • 热增强型 48 引脚 HTQFP PowerPAD™ IC 封装(7 mm × 7 mm 主体)

参数

无刷直流电机

方框图

无刷直流电机

1. 核心特性

  • 汽车级认证
    • AEC-Q100 Grade 1认证(-40°C至125°C工作温度)
    • ESD防护:HBM ±2kV / CDM ±500V
  • 三相桥驱动架构
    • 驱动6个独立N沟道MOSFET,支持12V/24V应用
    • 集成1A强栅极驱动能力,可编程死区时间
  • 集成电流检测放大器
    • 3通道高精度电流检测(增益可配置:8/12/16/32 V/V)
    • 支持±3V共模输入范围,带宽5MHz
  • 保护与诊断
    • VDS/VGS监测、短路保护、过温预警(165°C)与关断(195°C)
    • SPI可编程故障诊断与系统监控(Q&A看门狗、电压监测)

2. 关键参数

参数规格
工作电压4.75V-40V(启动最低4.85V)
栅极驱动电流峰值1A(可编程为0.15A-1.1A)
PWM频率最高20kHz(支持100%占空比)
封装尺寸48引脚HTQFP(7mm×7mm PowerPAD™)
热阻RθJA 25.7°C/W(带散热焊盘)

3. 技术亮点

  • 集成升压转换器
    • 内置FET提供4.75V低压启动能力,输出15V(典型值)驱动高压侧MOSFET
  • SPI可编程控制
    • 通过SPI接口配置驱动电流、死区时间(精度±15%)、VDS监测阈值(0.1-2V)
  • 电流检测优化
    • 输入偏置电流<90μA,失调电压±1mV(25°C),支持25pF负载快速稳定(0.8μs)

4. 典型应用

  1. 汽车电机控制
    • 电动转向(EPS)、电子制动、变速箱泵驱动
  2. 布局建议
    • VS引脚需并联22μH电感+1μF电容(升压电路)
    • 电流检测走线需对称布局以降低共模干扰
  3. 设计公式
    • 栅极驱动损耗:P = Qg × VBOOST × ƒPWM × 6(Qg为MOSFET栅极电荷)

5. 版本更新

  • 文档版本‌:SLVSCV1E(2017年2月修订)
  • 关键变更‌:
    • 新增传播延迟曲线(典型特性章节)
    • 优化RVSET电阻误差检测阈值(1.5kΩ→1.4kΩ)
    • 修正VCC5短路电流参数(70mA→80mA)

适用场景‌:需高可靠性、高集成度的汽车三相无刷电机驱动系统,尤其适合空间受限的ECU设计。

打开APP阅读更多精彩内容
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉

全部0条评论

快来发表一下你的评论吧 !

×
20
完善资料,
赚取积分