‌DRV8837C 1-A低电压H桥驱动器技术文档总结

描述

DRV8837C器件为相机、消费类产品、玩具和其他低压或电池供电的运动控制应用提供集成电机驱动器解决方案。该设备可以驱动一个直流电机或其他设备,如螺线管。输出驱动器模块由配置为 H 桥的 N 沟道功率 MOSFET 组成,用于驱动电机绕组。内部电荷泵产生所需的栅极驱动电压。

DRV8837C器件可提供高达 1 A 的输出电流。该器件在0至11 V的电机电源电压下工作,控制逻辑可以在1.8V至5V电源轨上工作。
*附件:drv8837c.pdf

DRV8837C设备具有 PWM (IN/IN) 输入接口。

提供内部关断功能,用于过流保护、短路保护、欠压锁定和过热。

特性

  • H桥电机驱动器
    • 驱动直流电机或其他负载
    • 低 MOSFET 导通电阻:HS + LS 1 Ω
  • 1-A 最大驱动电流
  • 0 至 11V 工作电源电压范围
  • 标准PWM接口(IN1/IN2)
  • 低功耗睡眠模式,最大睡眠电流为 120nA
    • nSLEEP 引脚
  • 小封装和封装
    • 8 WSON(带导热垫)
    • 2.0 × 2.0 毫米
  • 保护功能
    • VCC 欠压锁定 (UVLO)
    • 过流保护 (OCP)
    • 热关断 (TSD)

参数
MOSFET

方框图

MOSFET

1. 核心特性

  • 低电压驱动
    • 工作电压范围:0-11V(电机电源VM),逻辑电源VCC支持1.8-7V
    • 最大输出电流:1A(持续),H桥MOSFET导通电阻总和仅1Ω(典型值)
  • 高效控制
    • 标准PWM接口(IN1/IN2控制)
    • 低功耗睡眠模式(待机电流仅120nA,通过nSLEEP引脚控制)
  • 集成保护
    • 电源欠压锁定(UVLO)、过流保护(OCP)、热关断(TSD)
    • 自动故障恢复机制(过流/过热后延迟重试)

2. 关键参数

参数规格
封装尺寸8引脚WSON(2.0×2.0mm,带散热焊盘)
PWM频率最高250kHz
热阻RθJA 60.9°C/W(典型值)
保护阈值过流1.2A(最小)、热关断150°C

3. 功能模块

  1. H桥驱动架构
    • 内置N沟道MOSFET,支持正转/反转/刹车/滑行四种模式(见逻辑表)
    • 电荷泵提供栅极驱动电压
  2. 控制逻辑
    • IN1/IN2输入支持1.8V-5V逻辑电平,内置100kΩ下拉电阻
  3. 保护机制
    • 故障时自动禁用输出,恢复条件:
      • UVLO:VCC>1.8V
      • OCP/TSD:延迟后自动重试(tRETRY≈1ms)

4. 典型应用

  • 消费电子‌:相机镜头对焦、玩具电机控制
  • 医疗设备‌:微型泵驱动
  • 布局建议‌:
    • VM/VCC引脚需并联0.1µF陶瓷电容
    • 散热焊盘需连接至PCB地平面

5. 版本与文档

  • 文档版本‌:SLVSD61A(2016年7月修订)
  • 关键变更‌:初始版本状态从"预览"变更为"量产数据"
  • 配套资源‌:参考设计SLVUAS3(评估模块用户指南)

适用场景‌:需小尺寸、低功耗的电池供电电机驱动系统,尤其适合空间受限的便携设备。

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