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中科微电mos管ZK30N100G 30V 90A

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:5.51 MB | 2025-10-16

中科微电半导体
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ZK30N100T是一款采用先进沟槽技术的N沟道增强型功率MOSFET，文档从核心特性、关键参数、应用场景、封装与包装、电气及热特性、测试电路、机械尺寸等多维度展开介绍，为该器件的选型、设计与应用提供全面技术支撑。

漏源电压    30V
栅源电压  ±20V
连续漏极电流 90A
连续漏极电流  55A
脉冲漏极电流  360A
单脉冲雪崩能量   90mJ
功耗      90W
结到壳热阻   2.0℃/W
工作结温与存储温度范围   -55~150℃

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