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ZK30N100T N沟道增强型功率MOSFET技术手册
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2025-10-16
jf_57821835
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ZK30N100T是一款采用先进沟槽技术的N沟道增强型功率MOSFET，文档从核心特性、关键参数、应用场景、封装与包装、电气及热特性、测试电路、机械尺寸等多维度展开介绍，为该器件的选型、设计与应用提供全面技术支撑。
漏源击穿电压（VDSS） 30V
典型栅极阈值电压（V GS(th)_Typ） 1.5V
栅源电压 10V 时漏极电流（ID） 90A
栅源电压 10V 时典型导通电阻（RDS(ON)_Typ） 3.6mΩ
栅源电压 4.5V 时典型导通电阻（RDS(ON)_Typ） 6.5mΩ
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