DRV8881是用于工业应用的双极步进或有刷直流电机驱动器。器件输出级由两个N沟道功率MOSFET H桥驱动器组成。该DRV8881能够驱动每个H桥高达2.5A的峰值电流或1.4A的rms电流(具有适当的PCB接地层用于散热,电压为24 V和T 一个 = 25°C)。
智能调谐可自动调整电机以获得最佳电流调节性能,并补偿电机变化和老化效应。DRV8881E上提供智能调音。此外,还提供慢速、快速和混合衰减模式。
*附件:drv8881.pdf
PH/EN (DRV8881E) 或 PWM (DRV8881P) 引脚提供简单的控制接口。内部检测放大器允许可调节电流控制。使用专用的nSLEEP引脚为极低静态电流待机提供低功耗睡眠模式。
为欠压、电荷泵故障、过流、短路和过热提供内部保护功能。故障情况由 nFAULT 引脚指示。
特性
- 双 H 桥电机驱动器
- 6.5 至 45V 工作电源电压范围
- 两种控制接口选项
- 相位/电流NABLE (DRV8881E)
- PWM (DRV8881P)
- 多种衰减模式,支持任何电机
- 智能调谐(仅限DRV8881E)
- 混合衰减
- 缓慢衰减
- 快速衰减
- 自适应消隐时间,实现平稳运动
- 并行模式作(仅限DRV8881P)
- 可配置的关断时间PWM斩波
- 3.3V、10mA LDO稳压器
- 低电流睡眠模式 (28 μA)
- 小封装和封装
- 28 HTSSOP (PowerPAD)
- 28 WQFN (PowerPAD)
- 保护功能
- VM 欠压锁定 (UVLO)
- 电荷泵欠压 (CPUV)
- 过流保护 (OCP)
- 自动 OCP 重试
- 热关断 (TSD)
- 故障状态指示引脚 (nFAULT)
参数

方框图

1. 核心特性
- 驱动架构:双H桥设计,支持双极步进电机或单/双有刷直流电机,集成智能调节(Smart Tune)、多模式电流衰减控制及1/16微步进分度器。
- 关键参数:
- 电压范围:6.5V至45V宽输入,耐受负载突降。
- 输出电流:峰值2.5A,全量程2.0A,RMS 1.4A(24V/25°C条件下)。
- 导通电阻:高/低边MOSFET总RDS(on)典型值300mΩ(24V/1A)。
- 控制接口:
- DRV8881E:PHASE/ENABLE接口。
- DRV8881P:PWM接口(支持并行模式,电流能力翻倍)。
- 集成功能:
- 自适应消隐时间优化低电流驱动。
- 3.3V/10mA LDO稳压器。
- 低功耗睡眠模式(静态电流28µA)。
2. 保护机制
- 电源故障:VM欠压锁定(UVLO,阈值6.5V)、电荷泵欠压(CPUV)。
- 过流保护(OCP):2.5A峰值阈值,支持锁存或自动重试模式。
- 热关断(TSD):结温超过150°C时禁用输出,降温后自动恢复。
- 故障指示:nFAULT引脚输出低电平信号。
3. 典型应用
- 工业设备:ATM机、3D打印机、工厂自动化机器人。
- 消费电子:安防摄像头、办公设备。
- 优势场景:需高精度微步进或动态电流调节的系统。
4. 设计要点
- 电流调节:
- 公式:
ITRIP = (VREF × TRQ%) / (6.6 × RSENSE),TRQ%通过TRQ0/1引脚设置(25%/50%/75%/100%)。 - 检测电阻需低电感、高功率规格(如0.1Ω/1W)。
- 衰减模式:
- 支持慢衰减、快衰减、混合衰减(30%快+70%慢)及智能调节(仅DRV8881E)。
- 散热设计:
- PowerPAD封装需焊接至PCB地平面,推荐4层板散热。
- 示例:1.4A RMS电流下功耗约1.1W(25°C时结温60°C)。
5. 功能模式
- 微步进配置:通过M0/M1引脚设置全步至1/16步。
- 扭矩调节:TRQ0/1引脚实现25%-100%动态电流缩放。
- 并行模式(仅DRV8881P):双H桥并联输出,电流能力提升至2.8A RMS。
6. 封装与型号
- 封装:28引脚HTSSOP(带PowerPAD)或28引脚WQFN。
- 型号选项:
- DRV8881E:PH/EN控制接口,支持智能调节。
- DRV8881P:PWM控制接口,支持并行模式。
总结:DRV8881是一款高集成度、宽电压范围的电机驱动器,其智能调节和并行模式特性适用于需高动态性能的工业场景。设计时需重点优化电流检测、衰减模式及散热布局。