DRV8801A-Q1器件提供具有全H桥驱动器的多功能电机驱动器解决方案。该器件可以驱动有刷直流电机或步进电机的一个绕组,以及螺线管等其他器件。简单的PHASE和ENABLE接口允许轻松连接控制器电路。
输出级使用配置为H桥的N沟道功率MOSFET。DRV8801A-Q1 器件的峰值输出电流高达 ±2.8 A,工作电压高达 36 V。内部电荷泵产生所需的栅极驱动电压。
*附件:drv8801a-q1.pdf
提供低功耗睡眠模式,可关闭内部电路,以实现极低的静态电流消耗。可以使用专用的 nSLEEP 引脚设置此睡眠模式。
内部保护功能包括欠压锁定、过流保护、电源短路保护、对地短路保护、过温警告和过温关断。过流(包括对地短路和电源短路)和过热故障情况通过 nFAULT 引脚指示。
DRV8801A-Q1 器件采用 16 引脚 WQFN 封装,具有可润湿侧翼和裸露导热垫(环保:RoHS 和无 Sb/Br)。
特性
- 符合汽车应用标准
- 低导通电阻 (0.83 Ω) 输出
- 低功耗睡眠模式
- 支持100% PWM占空比
- 6.5 至 36V 工作电源电压范围
- 热增强型表面贴装封装
- 可配置的过流限制
- 保护功能
- V
BB型欠压锁定 (UVLO) - 过流保护 (OCP)
- 电源短路保护
- 对地短路保护
- 过热警告 (OTW)
- 过温关断 (OTS)
- 引脚上指示的过流和过热故障条件 (nFAULT)
参数

1. 核心特性
- 驱动架构:集成DMOS全桥驱动器,支持6.5V至36V宽电压输入,峰值输出电流±2.8A。
- 控制接口:PHASE(方向控制)和ENABLE(使能)双信号接口,支持PWM调速。
- 保护功能:
- 过流保护(OCP)、欠压锁定(UVLO)、短路保护(电源/地对地)。
- 温度警告(OTW)和关断(OTS),故障状态通过nFAULT引脚输出。
- 低功耗模式:nSLEEP引脚控制睡眠模式,静态电流极低(典型值10μA)。
2. 关键功能模块
- 电流检测:
- 通过SENSE引脚外接电阻(推荐100mΩ–500mΩ)实现电流采样。
- VPROPI引脚输出5倍SENSE电压(0–3.6V),支持ADC连接。
- 衰减模式:
- 快衰减:通过MODE1选择,电流接近零时自动关闭驱动。
- 慢衰减(制动模式):通过MODE2选择高/低侧同步整流。
- 电荷泵:内置电荷泵驱动高侧MOSFET,需外接0.1μF电容(CP1-CP2、VCP-VBB)。
3. 典型应用
- 适用场景:汽车门锁、HVAC执行器、压电报警器等车身电子系统。
- 设计要点:
- 布局:VBB引脚需并联100μF电解电容+0.1μF陶瓷电容,热焊盘连接PCB地平面。
- 并联配置:支持多芯片并联以提升电流(需外接肖特基二极管均衡电流)。
- 控制模式:
- PWM调速:ENABLE引脚输入PWM信号,PHASE控制方向。
- 单线控制:PHASE输入PWM(50%占空比停转,>50%正转,<50%反转)。
4. 电气参数
- 导通电阻:0.48Ω(源极,25°C) / 0.52Ω(漏极,25°C)。
- 保护阈值:
- 过流触发:3A(VBB=8–36V) / 2.8A(VBB=6.5–8V)。
- 温度关断:175°C(滞后15°C)。
- 热阻:θJA=36.8°C/W(自然对流),最大结温150°C。
5. 封装与版本
- 封装:16引脚WQFN(4mm×4mm),带可焊侧翼和散热焊盘。
- 版本更新(Rev D):
- 优化电荷泵引脚描述,新增VPROPI ADC连接方程。
- 增强并联配置说明,新增脉冲调制模式应用指南。
总结:DRV8801A-Q1是一款高可靠性汽车级电机驱动芯片,其灵活的PH/EN接口、精确的电流检测及多重保护机制,适用于严苛的汽车电子环境。通过并联设计和智能衰减模式,可有效提升系统功率密度与能效。