‌DRV8303三相栅极驱动器技术文档总结

描述

该DRV8303是一款用于三相电机驱动应用的栅极驱动器IC。该器件提供三个半桥驱动器,每个驱动器能够驱动两个N沟道MOSFET。该器件支持高达 1.7A 的源极电流和 2.3A 的峰值电流能力。该DRV8303可采用6V至60V范围宽的单个电源供电。它采用自举栅极驱动器架构和涓流充电电路,支持 100% 占空比。当高侧或低侧 MOSFET 切换时,DRV8303使用自动手摇,以防止电流射穿。高侧和低侧 MOSFET 的集成 VDS 检测用于保护外部功率级免受过流情况的影响。
*附件:drv8303.pdf

该DRV8303包括两个电流分流放大器,用于精确的电流测量。这些放大器支持双向电流检测,并提供高达 3 V 的可调输出失调。

串行外设接口 (SPI) 提供详细的故障报告和灵活的参数设置,例如电流分流放大器的增益选项和栅极驱动器的压摆率控制。

特性

  • 6V 至 60V 工作电源电压范围
  • 1.7A 源极和 2.3A 灌极驱动电流能力
  • 压摆率控制,降低 EMI
  • 支持 100% 占空比的自举栅极驱动器
  • 6 或 3 种 PWM 输入模式
  • 双通道集成电流分流放大器,具有可调增益和失调
  • 3.3V 和 5V 接口支持
  • 串行外设接口 (SPI)
  • 保护特点:
    • 可编程死区时间控制 (DTC)
    • 可编程过流保护 (OCP)
    • PVDD 和 GVDD 欠压锁定 (UVLO)
    • GVDD 过压锁定 (OVLO)
    • 过热警告/关断 (OTW/OTS)
    • 通过nFAULT、nOCTW和SPI寄存器报告

参数
电源供电

方框图

电源供电

1. 核心特性

  • 电源与驱动‌:
    • 工作电压范围:6V至60V,集成1.7A源电流/2.3A灌电流的栅极驱动能力。
    • 支持100%占空比的自举架构,内置电荷泵。
    • 3种PWM输入模式(6-PWM/3-PWM),可编程死区时间(50ns-500ns)。
  • 电流检测‌:
    • 双集成电流分流放大器,支持双向检测,增益可调(10/20/40/80 V/V)。
    • 输出偏置电压可编程(最高3V),支持DC校准模式。
  • 保护功能‌:
    • VDS过流保护(OCP)、欠压锁定(UVLO)、过热警告/关断(OTW/OTS)。
    • 故障报告通过nFAULT、nOCTW引脚及SPI寄存器。

2. 关键模块

  • 栅极驱动‌:
    • 三组半桥驱动,自动握手防直通,支持外部MOSFET的VDS实时监测。
    • 可调栅极驱动电流(1.7A/0.7A/0.25A)和开关斜率控制(EMI优化)。
  • SPI接口‌:
    • 16位数据帧(读写位+地址+数据),支持灵活的参数配置(如OCP阈值、放大器增益)。
  • 保护机制‌:
    • 4种过流模式(限流/锁存关断/仅报告/禁用),GVDD过压保护(>16V触发)。

3. 电气参数

  • 电源特性‌:
    • 静态电流:待机模式1μA(LDO关闭),工作模式15mA(100nC栅极电荷)。
    • 热阻:结至环境30.3°C/W(TSSOP封装)。
  • 时序特性‌:
    • 传播延迟:45ns(输入至栅极输出),死区时间匹配误差<5ns。

4. 典型应用

  • 场景‌:
    • 无刷直流电机(BLDC/PMSM)、电动工具、工业自动化。
  • 设计要点‌:
    • 布局‌:GVDD/PVDD需就近放置低ESR电容(如2.2μF陶瓷电容)。
    • 保护设置‌:根据MOSFET的RDS(on)计算OCP阈值(如0.123V对应26A@4.7mΩ)。

5. 封装与配置

  • 封装‌:48引脚HTSSOP(12.5mm×6.1mm),带裸露焊盘散热。
  • 寄存器配置‌:
    • 控制寄存器1:设置栅极电流、PWM模式、OCP响应方式。
    • 控制寄存器2:配置放大器增益、DC校准通道、OCTW报告模式。

总结‌:DRV8303是一款高集成度三相电机驱动IC,适用于需精确电流检测和强保护功能的场合,其SPI可编程性及多重保护机制显著简化系统设计。

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