‌DRV8816双路1/2-H桥电机驱动器技术文档总结

描述

该DRV8816提供多功能电源驱动器解决方案,具有两个独立的 1/2-H 桥式驱动器。该设备可以驱动一个有刷直流电机或一个绕组步进电机,以及螺线管等其他设备。简单的 INx/ENx 接口可以轻松与控制器电路的接口。

输出级使用配置为 1/2-H 桥的 N 沟道功率 MOSFET。DRV8816是能够提供高达 ±2.8 A 的峰值输出电流和高达 38 V 的工作电压。内部电荷泵产生所需的栅极驱动电压。
*附件:drv8816.pdf

提供低功耗睡眠模式,可关闭内部电路以实现极低的静态电流消耗。可以使用专用的 nSLEEP 引脚设置此睡眠模式。

为 UVLO、电荷泵故障、OCP、电源短路保护、对地短路保护、过热警告和过热关断提供内部保护功能。故障情况通过 nFAULT 引脚指示

该DRV8816采用 16 引脚 HTSSOP 封装,具有PowerPAD(™环保:RoHS 和无 Sb/Br)

特性

  • H桥电机驱动器
    • 驱动直流电机或其他负载
    • 低R DS(开) MOSFET(典型值0.4-Ω)
  • 低功耗睡眠模式
  • 支持 100% PWM
  • 8 至 38V 工作电源电压范围
  • 热增强型表面贴装封装
  • 可配置的过流限制
  • 保护功能
    • VBB 欠压锁定 (UVLO)
    • 电荷泵欠压 (CPUV)
    • 过流保护 (OCP)
    • 电源短路保护 (STS)
    • 对地短路保护 (STG)
    • 过热警告 (OTW)
    • 过温关断 (OTS)
    • 故障状态指示引脚 (nFAULT)

参数

输出电流

1. 核心特性

  • 电源与驱动‌:
    • 工作电压范围:8V至38V,集成双路1/2-H桥驱动,支持100% PWM占空比。
    • 内置电荷泵,提供N沟道MOSFET栅极驱动电压(低侧RDS(on)典型值0.35Ω,高侧0.48Ω)。
    • 峰值输出电流:±2.8A,支持独立控制两路负载(如直流电机、步进电机绕组或螺线管)。
  • 控制接口‌:
    • 每路H桥通过ENx(使能)和INx(输入)引脚控制,支持快速/慢速衰减模式。
    • 专用nSLEEP引脚实现低功耗休眠模式(静态电流<10μA)。
  • 保护功能‌:
    • 电源欠压锁定(UVLO)、电荷泵故障(CPUV)、过流保护(OCP)、短路保护(STS/STG)。
    • 温度警告(OTW,160°C触发)和关断(OTS,175°C触发),故障状态通过nFAULT引脚输出。

2. 关键模块

  • 电流检测‌:
    • SENSE引脚支持外接电阻(如0.25Ω)实现过流阈值编程(ITRIP = 0.5V/RSENSE)。
    • VPROPI输出5倍SENSE电压(最大2.5V),用于电机电流监控。
  • 电荷泵‌:
    • CP1/CP2接0.1μF电容,VCP接0.1μF储能电容(16V耐压)。
  • 热管理‌:
    • HTSSOP-16封装带PowerPAD™,热阻θJA=43.9°C/W,需通过PCB散热设计控制温升。

3. 典型应用

  • 场景‌:
    • 打印机进纸电机、工业自动化执行器、机器人关节驱动。
  • 设计要点‌:
    • 布局‌:VBB需并联100μF电解电容+0.1μF陶瓷电容,SENSE电阻需低电感布局。
    • 过流保护‌:若电机启动电流2A,建议RSENSE=0.25Ω(ITRIP=2A),需确保稳态电流<1.6A(OCP阈值)。
    • 热计算‌:示例中0.8A RMS电流下功耗约0.64W(RDS(on)总和1Ω),温升约30°C(θJA=47°C/W)。

4. 电气参数

  • 绝对最大值‌:
    • VBB耐压40V,逻辑输入电压范围-0.3V至7V,结温范围-40°C至190°C。
  • 动态特性‌:
    • 输出传播延迟70ns(高阻到有效状态),交叉延迟500ns(防直通)。
  • 保护时序‌:
    • 过流消隐时间3μs,自动重试周期1.6ms。

5. 封装与配置

  • 封装‌:16引脚HTSSOP(4.4mm×5mm),带裸露焊盘(需焊接至PCB地平面)。
  • 寄存器配置‌:
    • 通过硬件引脚设置工作模式(无SPI接口),如ENx=0时输出高阻,INx=1时输出高电平。

总结‌:DRV8816是一款高集成度双H桥驱动器,适用于需精确电流控制及多重保护的电机驱动场景,其紧凑封装和低功耗特性特别适合空间受限的嵌入式系统。

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