DRV8832-Q1 器件为电池供电的玩具、打印机和其他低压或电池供电的运动控制应用提供集成电机驱动器解决方案。该器件具有一个 H 桥驱动器,可以驱动一个直流电机或步进电机的一个绕组,以及螺线管等其他负载。输出驱动器模块由配置为 H 桥的 N 沟道和 P 沟道功率 MOSFET 组成,以驱动电机绕组。
DRV8832-Q1 具有足够的 PCB 散热器,可提供高达 1A 的 DC/RMS 或峰值输出电流。它的工作电源电压为 2.75 V 至 6.8 V。
*附件:drv8832-q1.pdf
为了在不同的电池电压下保持恒定的电机速度,同时保持较长的电池寿命,提供了一种PWM电压调节方法。输入引脚允许对稳压电压进行编程。还提供内置基准电压源输出。
提供过流保护、短路保护、欠压锁定和过温保护的内部保护功能。
DRV8832-Q1 还提供电流限制功能,用于在电机启动或失速等情况下调节电机电流,以及故障输出引脚,用于向主机处理器发出故障状态信号。
DRV8832-Q1 采用微型 3 mm x 3 mm 10 引脚 MSOP 封装,带 PowerPAD™(环保:RoHS 和无 Sb/Br)。
特性
- 符合汽车应用标准
- AEC-Q100 符合以下标准:
- 器件温度等级 1:–40°C 至 125°C 环境工作温度范围
- 设备 HBM ESD 分类等级 H2
- 设备 CDM ESD 分类级别 C4B
- H桥压控电机驱动器
- 驱动直流电机、步进电机的一个绕组或其他执行器/负载
- 高效的PWM电压控制,可在不同的电源电压下实现恒定电机速度
- 低 MOSFET 导通电阻:
HS + LS 450 mΩ
- 1A 最大 DC/RMS 或峰值驱动电流
- 2.75V 至 6.8V 工作电源电压范围
- 300nA(典型值)睡眠模式电流
- 参考电压输出
- 限流电路
- 故障输出
- 热增强型表面贴装封装
参数

方框图

1. 核心特性
- 驱动能力:
- 单H桥设计,支持直流电机、步进电机单绕组或其他感性负载驱动
- 工作电压范围:2.75V至6.8V,峰值输出电流1.3A
- 低MOSFET导通电阻(HS+LS合计450mΩ)
- 控制特性:
- PWM电压调节技术,支持电池供电场景下的恒定转速控制
- 内置200mV电流限制功能(通过外部电阻可调)
- 支持睡眠模式(典型待机电流300nA)
- 保护机制:
- 过流保护(OCP)、热关断(TSD)、欠压锁定(UVLO)
- 故障指示引脚(FAULTn)
2. 关键功能模块
H桥控制逻辑:
| IN1 | IN2 | 功能 |
|---|
| 0 | 0 | 睡眠/高阻态 |
| 0 | 1 | 反向驱动 |
| 1 | 0 | 正向驱动 |
| 1 | 1 | 制动 |
电压调节系统:
- 通过VSET引脚设置目标电压(典型值1.235-1.335V)
- 内置参考电压输出(VREF)用于分压电路设计
- 自动调整PWM占空比补偿电源电压波动
电流限制:
- 计算公式:
R_ISENSE = 0.2V / I_LIMIT - 持续275ms过流触发FAULTn报警
3. 典型应用设计
- 电机驱动电路:
- 推荐布局:
- VCC引脚需并联0.1μF陶瓷电容+10μF电解电容
- ISENSE电阻应选用低电感、高功率规格
- 热设计:
- PowerPAD封装需通过PCB铜箔散热(RθJA=69.3°C/W)
- 最大结温150°C,建议工作温度≤125°C
- 参数配置示例:
目标电流限制0.9A→RISENSE=0.2V/0.9A≈0.22Ω目标电机电压3V→VSET=(3V/4)=0.75V(需电阻分压)**目标电流限制**0.9**A**→**R**I****SENSE**=**0.2**V**/0.9**A**≈**0.22Ω**目标电机电压**3**V**→**V**SET**=**(**3**V**/4**)**=**0.75**V**(需电阻分压)**
4. 封装与性能
- MSOP-PowerPAD(DGQ)封装:
- 尺寸:3mm×3mm×1.1mm
- 引脚配置:
1-OUT2 2-ISENSE 3-OUT1
4-VCC 5-GND 6-FAULTn
7-VSET 8-VREF 9-IN1
10-IN2 (底部散热焊盘)
- 电气特性:
- 效率:典型90%@VCC=5V, IOUT=500mA
- PWM频率:44.5kHz(典型值)
5. 设计注意事项
- 启动控制:
- 避免直接切换睡眠→驱动模式(需12ms软启动)
- 建议采用固定方向+PWM调速方案
- 故障处理:
- 汽车电子应用:
- 符合AEC-Q100 Grade 1认证(-40°C至125°C)