STMicroelectronics ADP480120W3 ACEPACK驱动电源模块设计用于混合动力和电动汽车牵引逆变器。这款紧凑型六组模块采用基于第三代碳化硅功率MOSFET的开关,具有非常低的RDS (on) 、非常有限的开关损耗以及同步整流工作模式下的出色性能。借助这些特性,可在最终应用中实现出色的效率,从而缩短电池充电周期。
数据手册:*附件:STMicroelectronics ADP480120W3 ACEPACK驱动电源模块数据手册.pdf
STMicro ADP480120W3 ACEPACK驱动电源模块在铜基板中提供直接流体冷却,采用引脚安装基板,最大限度地降低热阻。该器件具有专用引脚分配,优化用于实现最佳开关性能。压配引脚可实现与驱动板的最佳连接。
特性
- 符合AQG 324标准
- 1200 V 的闭塞电压
RDS (on):1.9mΩ(典型值)- 最高工作结温:
Tj =175°C - 极低的开关能量
- 低电感紧凑型设计,获得更高功率密度
- Si
3N4 AMB 基板,可提高散热性能 - 碳化硅功率MOSFET芯片烧结到基板上,以延长使用寿命
- 绝缘:4.2kV DC,1秒
- 直接液体冷却基板,带针鳍
- 三个集成的NTC温度传感器
应用电路

ACEPACK驱动PCB (mm)

STMicroelectronics ADP480120W3 ACEPACK驱动电源模块技术解析
一、产品核心特性
- 汽车级碳化硅(SiC)功率模块
- 采用第三代1200V SiC MOSFET技术,典型导通电阻仅1.9mΩ(VGS=18V时),较第二代产品(3.5mΩ)显著降低开关损耗。
- 六桥臂紧凑拓扑设计,专为电动汽车牵引逆变器优化,支持最高175℃结温运行(基板温度需≤125℃)。
- 高效散热与封装
- 铜基板集成针翅结构,支持直接液冷(10LPM流量下热阻仅0.105°C/W),搭配Si3N4 AMB基板提升热性能。
- 4.2kV电气隔离能力,符合IEC 61140 Class 1标准,模块内部杂散电感低至10nH。
二、关键参数详解
- 极限参数(表1)
- 阻断电压:1200V
- 连续漏极电流:488A(TF=75℃时)
- 峰值电流:1000A(脉冲宽度受结温限制)
- 总功耗:869W(TJ=175℃条件下)
- 动态特性(表4)
- 开关能量:
- 开通能量Eon=42.3mJ(VDD=800V, ID=480A, RG=10Ω)
- 关断能量Eoff=41.6mJ
- 反向恢复特性(表5):
- TJ=175℃时反向恢复时间trr达57ns,需注意高温下损耗增加。
- 温度传感器
- 集成NTC(表6):
- R25=5kΩ±5%,B25/50=3375K,用于实时监测模块温度。
三、设计应用指南
- 驱动电路设计
- 推荐栅极电压范围-5V至18V,需配合主动米勒钳位电路抑制dV/dt干扰(图12显示RG=8.2Ω时Eoff最优)。
- 栅极电荷Qg=1258nC(VDD=800V时),需计算驱动电流需求。
- 热管理建议
- 根据瞬态热阻抗曲线(图15),脉冲负载下需控制单脉冲时间<1ms以避免过热。
- 液冷系统流量建议≥6LPM(图16显示流量从4LPM提升至10LPM可降低热阻15%)。
- 布局优化
- 采用预压合引脚(press-fit)连接驱动板,减少寄生电感(模块引线电阻典型值0.5mΩ)。
- 建议参考图19 PCB尺寸图进行散热器匹配设计。
四、性能曲线分析
- 输出特性(图1-4)
- TJ=175℃时导通电阻上升至3.3mΩ(较25℃增加73%),需在高温工况下留足电流余量。
- 开关损耗趋势(图9-12)
- 开关能量与总线电压呈线性关系(VDD从450V升至750V时Eon增加2.3倍),高压应用需重点优化散热。