‌DRV8835双路低压H桥电机驱动器技术文档总结

该DRV8835为相机、消费类产品、玩具和其他低压或电池供电的运动控制应用提供集成电机驱动器解决方案。该器件具有两个 H 桥驱动器，可驱动两个直流电机或一个步进电机，以及螺线管等其他设备。每个模块的输出驱动器模块由配置为 H 桥的 N 沟道功率 MOSFET 组成，用于驱动电机绕组。内部电荷泵产生栅极驱动电压。

该DRV8835每个H桥提供高达1.5A的输出电流，在0 V至11 V的电机电源电压和2 V至7 V的器件电源电压下工作。
*附件：drv8835.pdf

PHASE/ENABLE 和 IN/IN 接口与行业标准设备兼容。

提供内部关断功能，用于过流保护、短路保护、欠压锁定和过热。

该DRV8835采用微型 12 引脚 WSON 封装（环保：RoHS 且无 Sb/Br）。

特性

• 双 H 桥电机驱动器
  • 能够驱动两个直流电机或一个步进电机
  • 低 MOSFET 导通电阻：
    HS + LS 305 mΩ
• 每个 H 桥的最大驱动电流为 1.5A
• 配置电桥并联以实现 3A 驱动电流
• 独立的电机和逻辑电源引脚：
  • 0V 至 11V 电机工作电源电压
  • 2V至7V逻辑电源电压
• 独立的逻辑和电机电源引脚
• 灵活的PWM或PHASE/ENABLE接口
• 低功耗睡眠模式，最大电源电流为 95nA
• 微型 2.00 mm × 3.00 mm WSON 封装

参数

方框图

‌1. 产品概述‌

DRV8835是德州仪器（TI）推出的双H桥电机驱动IC，专为相机、消费电子、玩具等低电压或电池供电的运动控制应用设计。

• ‌核心特性‌：
  • ‌双H桥架构‌：每桥支持1.5A连续电流（并联模式下可达3A），MOSFET导通电阻低至305mΩ（HS+LS）。
  • ‌宽电压范围‌：
    • 电机供电电压（VM）：0V至11V
    • 逻辑供电电压（VCC）：2V至7V
  • ‌灵活控制接口‌：支持PWM或PHASE/ENABLE模式，兼容行业标准设备。
  • ‌低功耗睡眠模式‌：静态电流低至95nA（典型值）。
  • ‌小型封装‌：2mm×3mm WSON-12（带散热焊盘）。

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‌2. 关键参数与保护机制‌

• ‌电气性能‌：
  • ‌输出电流‌：每桥1.5A连续（峰值2.2A，5V/25°C）。
  • ‌PWM频率‌：最高250kHz（外部输入）。
• ‌保护功能‌：
  • ‌ 过流保护（OCP） ‌：3.5A触发阈值，1μs消隐时间，1ms自动恢复。
  • ‌ 热关断（TSD） ‌：160°C触发，冷却后自动重启。
  • ‌ 欠压锁定（UVLO） ‌：VCC低于1.9V时关闭输出。

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‌3. 工作模式详解‌

‌3.1 PHASE/ENABLE模式‌

• ‌控制逻辑‌：
  • xPHASE引脚设定电流方向，xENBL引脚启用H桥。
  • 支持正向、反向、制动三种状态。

‌3.2 IN/IN模式‌

• ‌控制逻辑‌：
  • 通过xIN1/xIN2直接控制H桥输出状态（高/低/高阻）。
  • 支持四象限操作（正转、反转、制动、滑行）。

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‌4. 典型应用设计‌

• ‌电机驱动配置‌：
  • ‌单电机模式‌：独立控制两路直流电机。
  • ‌并联模式‌：双H桥并联驱动单电机，电流能力提升至3A。
• ‌布局建议‌：
  • ‌电源去耦‌：VM和VCC引脚需就近放置0.1μF陶瓷电容。
  • ‌散热设计‌：PCB需通过散热焊盘和过孔优化热传导（RθJA=50.4°C/W）。

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‌5. 封装与订购信息‌

• ‌封装选项‌：
  • ‌WSON-12‌（2mm×3mm，带裸露焊盘）。
• ‌型号示例‌：
  • DRV8835DSSR（卷带包装，3000片/卷）。

‌文档版本‌：SLVSB18H（2016年8月修订）
‌配套资源‌：评估模块（DRV8835EVM）、参考设计（TIDA-01543）。

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‌总结‌：DRV8835通过高集成度设计、灵活的接口选项及多重保护功能，为低电压电机驱动提供紧凑高效的解决方案，尤其适合空间受限的便携式设备。