该DRV8803提供具有过流保护功能的4通道低侧驱动器。该器件具有内置二极管,用于箝位感性负载产生的关断瞬变,可用于驱动单极步进电机、直流电机、继电器、螺线管或其他负载。
在SOIC (DW)封装中,该DRV8803在25°C时,每个通道可提供高达1.5A(一个通道开通)或800mA(所有通道开通)的连续输出电流。 在HTSSOP(PWP)封装中,该器件在25°C时每通道可提供高达2A(一个通道开通)或1A(四个通道开通)的连续输出电流。在 SOT-23-THN (DYZ) 封装中,该DRV8803在 25°C 下,每个通道可提供高达 1.9A(一个通道开启)或 900mA(所有通道开启)的连续输出电流,并具有适当的 PCB 散热器。
*附件:drv8803.pdf
该设备通过简单的并行接口进行控制。
提供内部关断功能,用于过流保护、短路保护、欠压锁定和过热,故障由故障输出引脚指示。
该DRV8803采用 20 引脚热增强型 SOIC 封装、16 引脚 HTSSOP 封装和 16 引脚 SOT-23-THN 封装(环保:RoHS 和无 Sb/Br)。
特性
- 4通道保护低侧驱动器
- 四个具有过流保护的 NMOS FET
- 集成电感钳位二极管
- 并行接口
- DW 封装:1.5A(单通道导通)/ 800mA(四通道导通)每通道最大驱动电流(25°C 时)
- PWP 封装:2A(单通道导通)/1A(四通道导通)每通道最大驱动电流(25°C 时,使用适当的 PCB 散热器)
- DYZ 封装:1.9A(单通道导通)/ 0.9A(四通道导通)每通道最大驱动电流(25°C 时,使用适当的 PCB 散热器)
- 8.2V至60V工作电源电压范围
- 热增强型表面贴装封装
参数

方框图

1. 产品概述
DRV8803是德州仪器(TI)推出的四通道低边驱动器IC,集成NMOS FET和过流保护功能,适用于继电器、单极性步进电机、电磁阀等负载驱动。
- 核心特性:
- 电压范围:8.2V至60V宽输入电压。
- 驱动能力:
- DW(SOIC)封装:单通道1.5A/四通道800mA(25°C)。
- PWP(HTSSOP)封装:单通道2A/四通道1A(25°C,需散热设计)。
- DYZ(SOT-23-THN)封装:单通道1.9A/四通道900mA(25°C)。
- 集成保护:过流保护(OCP)、热关断(TSD)、欠压锁定(UVLO)。
- 接口:并行控制接口(IN1-IN4输入,OUT1-OUT4输出)。
- 集成钳位二极管:支持感性负载瞬态电压抑制。
2. 关键功能与参数
- 控制逻辑:
- 使能端(nENBL) :低电平有效,内部下拉。
- 复位端(RESET) :高电平复位内部逻辑,内部下拉。
- 电气特性:
- 导通电阻(RDS(on)) :
- DW/PWP封装:典型500mΩ(25°C)。
- DYZ封装:典型400mΩ(25°C)。
- 过流保护阈值:2.3A至3.8A(典型3.5μs消隐时间)。
- 热关断温度:150°C至180°C(自动恢复)。
- 时序参数:
- 输出响应延迟:低至高/高至低转换最大800ns。
3. 封装与设计要点
- 封装选项:
- DW(SOIC-20) :12.8mm×7.5mm,适合通用应用。
- PWP(HTSSOP-16) :5mm×4.4mm,带PowerPAD™散热焊盘。
- DYZ(SOT-23-THN-16) :4.2mm×2mm,紧凑型设计。
- PCB布局建议:
- 电源电容靠近VM/GND引脚,低阻抗走线。
- 散热设计:HTSSOP/DYZ封装需通过散热焊盘连接大面积铜层。
4. 典型应用
- 继电器/电磁阀驱动:PWM控制峰值/保持电流(如24V/200mA峰值,100mA保持)。
- 单极性步进电机驱动:支持5线电机,全步进角1.8°。
- 感性负载保护:通过VCLAMP引脚连接TVS二极管抑制电压尖峰。
总结:DRV8803通过高集成度、多重保护及灵活封装选项,为工业与消费电子中的低边驱动提供可靠解决方案,尤其适合需紧凑设计和高电流能力的场景。