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13001三极管参数

消耗积分:10 | 格式:rar | 大小:344 | 2010-03-30

张国厚

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13001三极管参数:TO-251 Plastic-Encapsulate Transistors

unless otherwise specified）
Parameter Symbol Test conditions MIN TYP MAX UNIT
Collector-base breakdown voltage V(BR)CBO Ic= 100μA ，IE=0 600 V
Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO IC= 1 mA , IB=0 400 V
Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBO IE= 100 μA，IC=0 7 V
Collector cut-off current ICBO VCB= 600 V , IE=0 100 μA
Collector cut-off current ICEO VCE= 400 V , IB=0 200 μA
Emitter cut-off current IEBO VEB= 7 V , IC=0 100 μA
hFE（1） VCE= 20 V, IC= 20mA 10 40
DC current gain
hFE（2） VCE= 10V, IC= 0.25 mA 5
Collector-emitter saturation voltage VCE(sat) IC= 50mA, IB= 10 mA 0.5 V
Base-emitter saturation voltage VBE(sat) IC= 50 mA, IB= 10mA 1.2 V
Base-emitter voltage VBE IE= 100 mA, 1.1 V

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