MOT3910J 双 N 沟道增强型 MOSFET 技术解析

一、产品定位与结构

MOT3910J 是仁懋电子（MOT）推出的双 N 沟道增强型 MOSFET，采用 PDFN3X3 封装形式，将两只 N 沟道 MOSFET 集成于单颗芯片内，适配高频功率转换、同步整流等对空间与性能均有要求的场景，在小型化布局中实现双路功率控制。

二、核心参数与技术价值

• 电压电流特性：漏源电压（VDS）最大 30V，栅源电压（VGS）最大 20V；连续漏极电流（ID）达 25A（25℃下），脉冲漏极电流（IDM）可至 100A，能同时满足双路持续高负载与瞬时峰值电流的控制需求，为功率密集型电路提供可靠电流承载能力。
• 导通电阻表现：栅源电压（VGS）为 10V 时，导通电阻（RDS (on)）低至 7.5mΩ；VGS 为 4.5V 时，RDS (on) 为 14mΩ。低导通电阻特性可显著降低双路导通阶段的功率损耗，尤其适配高频切换下的能效要求。
• 电容与开关性能：输入电容（Ciss）1174pF、输出电容（Coss）162pF、反向传输电容（Crss）130pF，配合 23nC 的总栅极电荷（Qg），既保障了栅极驱动的响应速度，又通过低寄生电容减少高频切换时的损耗，适配 “高频化” 功率转换趋势。
• 热稳定性：结温工作范围覆盖 - 55℃至 + 150℃，满足工业级宽温环境需求；单管最大耗散功率（Pd）达 38W（25℃下），双管集成设计下仍能通过 PDFN3X3 封装的散热结构实现热量高效传导。

三、技术特性与优势

双管集成的空间优势将两只 N 沟道 MOSFET 集成于单颗 PDFN3X3 封装内，相比两颗独立 MOSFET 的布局，节省约 40% 的 PCB 空间，完美适配小型化电源模块（如手机快充、笔记本电源）的布局需求。

高频切换的性能优势低反向传输电容（Crss）与 10-19mS 的正向跨导（gfs）配合，使其在 DC/DC 变换器的同步整流、高频开关场景中，能实现纳秒级的开关时序（如导通延迟时间 td (on) 仅 5.5ns），大幅减少开关损耗，提升系统能量转换效率。

低损耗的能效优势7.5mΩ（@VGS=10V）的低导通电阻，在双路大电流导通时可同步降低两路的功率损耗；同时兼容 4.5V 低压驱动，满足低功耗控制系统的设计需求。

四、典型应用场景

• DC/DC 转换器：凭借双管集成、高频切换能力，可作为同步整流管或主开关管，应用于消费电子（如手机、平板）的快充电源、工业设备的直流变换模块中，实现高效电压转换。
• 高频开关与同步整流：适配 “高频化、小型化” 的电源设计趋势，在光伏微型逆变器、通信基站电源等场景中，承担高频开关或同步整流功能，助力系统向 “高功率密度、高能效” 方向升级。