选型手册：MOT7N70D 系列 N 沟道功率 MOSFET 晶体管

仁懋电子（MOT）推出的 MOT7N70D 是一款面向高压开关场景的 N 沟道增强型功率 MOSFET，凭借 700V 耐压、低导通损耗及高速开关特性，广泛适用于高效开关电源、电子镇流器、LED 电源等领域。以下从品牌定位、器件特性、电气参数等维度展开详细说明。

一、品牌背景：仁懋电子（MOT）与高压功率半导体布局

仁懋电子（MOT）聚焦功率半导体器件研发，在中高压 MOSFET 领域具备技术积累，产品以 “高耐压、高鲁棒性” 为核心优势，服务于开关电源、工业控制、照明电子等场景。MOT7N70D 系列作为其高压产品线的代表型号，针对 700V 级应用场景优化了导通电阻与开关速度，在半桥拓扑、高压直流转换等场景中表现突出。

二、MOT7N70D 基本信息

MOT7N70D 是N 沟道增强型功率 MOSFET，核心定位为 “高压高效开关器件”，适配 700V 系统的功率控制需求（如高压电源、电子镇流器等）。其核心特性包括：

• 电压适配：漏源极耐压（VDS）达 700V，兼容高压供电系统；
• 电流能力：25℃ 下连续漏极电流（ID）为 7A，脉冲漏极电流（IDpk）达 14A，满足负载瞬间启动与持续工作需求；
• 导通损耗：栅源电压（VGS=10V）下导通电阻（RDS (on)）典型值为 1.28Ω，在高压小电流场景中平衡损耗与成本；
• 封装形式：采用 TO-251 直插封装，单管包装为 70 个 / 管，适配传统插装式高压电路设计。

三、核心特性

MOT7N70D 围绕 “高压高效开关” 需求打造，具备以下技术优势：

• 超低栅极电荷：优化栅极电荷特性，降低驱动电路功耗，提升开关频率适配性；
• 低反向传输电容：减少米勒效应影响，支持更高 dv/dt 工况，增强电路抗干扰能力；
• 快速开关能力：开关速度快，适合高频开关电源、电子镇流器等对开关速度敏感的场景；
• 雪崩能量测试：通过雪崩能量测试，在感性负载开关、异常过压等场景下可靠性更高；
• 高鲁棒性设计：强化 dv/dt 耐受能力，适应工业级高压环境的严苛工作条件。

四、关键电气参数（Tc=25℃，除非特殊说明）

1. 绝对最大额定值

• 漏源极电压（VDS）：最大值 700V，超过此值易导致器件击穿；
• 栅源极电压（VGS）：±30V，栅极驱动需控制在该范围内以避免栅极氧化层损坏；
• 连续漏极电流（ID）：7A（Tc=25℃），随结温升高需降额使用；
• 脉冲漏极电流（IDpk）：14A（脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%），支持负载短时过载；
• 雪崩能量（EAS）：单脉冲最大值 480mJ，应对感性负载关断时的能量冲击；
• 峰值反向恢复 dv/dt：2.2V/ns，在高速开关场景中抑制电压尖峰；
• 功耗（PD）：74W（Tc=25℃），需搭配散热措施保障长期可靠工作；
• 结温范围（TJ）：-55~+150℃，存储温度范围同结温下限至 +150℃。

五、封装与型号释义

MOT7N70D 属于仁懋电子高压 MOSFET 系列的 “卤化版本”，型号释义如下：

• MOT：品牌标识（仁懋电子）；
• 7N：代表 “7A 额定电流（N 沟道）”；
• 70：代表 “700V 漏源耐压”；
• D：版本标识（卤化工艺，对应封装 TO-251）。

其封装与包装形式为：TO-251 直插封装，单管包装 70 个 / 管，适用于插装式高压电路的批量生产与维护。

六、典型应用场景

MOT7N70D 凭借 700V 耐压与高效开关特性，典型应用包括：

• 高效开关模式电源：适配 700V 级 AC-DC/DC-DC 转换器，在服务器电源、工业电源中实现高效能量转换；
• 半桥式电子镇流器：用于荧光灯、高压气体放电灯的镇流器电路，通过高速开关实现灯光稳定驱动；
• LED 电源：在高压 LED 驱动电源中作为主开关管，兼顾耐压与效率需求；
• 高压负载控制：如高压继电器替代、高压电磁阀驱动等场景，利用其高耐压特性简化电路设计。

七、信息来源

仁懋电子（MOT）官方产品手册（注：上述参数均基于手册标注整理，实际应用需以最新版手册及器件批次测试数据为准。）