选型手册：MOT50N06D 系列 N 沟道功率 MOSFET 晶体管

仁懋电子（MOT）推出的 MOT50N06D 是一款面向低压大电流开关场景的 N 沟道增强型功率 MOSFET，凭借 60V 耐压、超低导通损耗及高速开关特性，广泛适用于各类开关应用（如 DC-DC 转换器、电机驱动、功率开关系统等）。以下从品牌定位、器件特性、电气参数等维度展开详细说明。

一、品牌背景：仁懋电子（MOT）与低压大电流功率半导体布局

仁懋电子（MOT）聚焦低压大电流功率半导体器件研发，在60V 级大电流开关领域具备技术积累，产品以 “低导通损耗、高开关速度” 为核心优势，服务于消费电子、工业控制、汽车后装等场景。MOT50N06D 系列作为其低压大电流产品线的代表型号，针对 60V 大电流开关场景优化了导通电阻与开关特性，在高频切换、大电流负载控制等场景中表现突出。

二、MOT50N06D 基本信息

MOT50N06D 为N 沟道增强型功率 MOSFET，核心定位 “60V 级大电流高效开关器件”，适配 60V 系统的功率控制需求（如 DC-DC 转换、电机驱动、功率开关等）。其核心特性包括：

• 电压适配：漏源极耐压（VDS）达 60V，兼容低压大电流供电场景；
• 电流能力：25℃ 下连续漏极电流（ID）为 50A，脉冲漏极电流（IDpk）达 150A，满足负载瞬间启动与持续工作需求；
• 导通损耗：栅源电压（VGS=10V）下导通电阻（RDS (on)）典型值为 13mΩ，低压大电流场景下损耗极低；
• 封装形式：采用 TO-252 贴片封装（无卤版本，2500 片 / 卷），同时提供 TO-251 直插封装（对应型号 MOT50N06C，70 片 / 管），适配不同工艺的电路板设计需求。

三、核心特性

MOT50N06D 围绕 “低压大电流高速开关” 需求打造，具备以下技术优势：

• 超低导通电阻：13mΩ 的典型导通电阻（VGS=10V），在 50A 大电流传输时热损耗显著降低，提升系统能效；
• 高开关速度：优化芯片设计实现高速开关特性，适合高频开关应用（如 PWM 控制的 DC-DC 转换器）；
• 强化 dv/dt 能力：提升了 dv/dt 耐受性能，在高速开关场景中抑制电压尖峰，增强电路稳定性；
• 环保合规性：无卤版本符合 RoHS 标准，适配绿色电子制造要求。

四、关键电气参数（Tc=25℃，除非特殊说明）

1. 绝对最大额定值

• 漏源极电压（VDS）：最大值 60V，超过此值易导致器件击穿；
• 栅源极电压（VGS）：±20V，栅极驱动需控制在该范围以避免氧化层损坏；
• 连续漏极电流（ID）：50A（Tc=25℃），随结温升高需降额使用；
• 脉冲漏极电流（IDpk）：150A（脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%），支持负载短时过载；
• 雪崩能量（EAS）：单脉冲最大值 82mJ，应对感性负载关断时的能量冲击；
• 功耗（PD）：46W（TO-251/TO-252 封装，Tc=25℃），需搭配散热措施保障长期可靠工作；
• 结温范围（TJ）：-55~+150℃，存储温度范围与结温区间一致。

五、封装与型号释义

MOT50N06D 系列通过后缀区分封装类型，型号释义如下：

• MOT50N06D：“MOT” 为品牌标识（仁懋电子），“50” 代表 “50A 额定电流（N 沟道）”，“06” 代表 “60V 漏源耐压”，“D” 为版本标识（TO-252 贴片封装，无卤工艺）；
• MOT50N06C：后缀 “C” 对应 TO-251 直插封装，每管 70 片，适配传统插装式电路设计。

其中 TO-252 贴片封装为表面贴装形式，无卤版本每卷 2500 片，满足规模化生产的高密度组装需求；TO-251 直插封装则适用于对安装方式有传统插装需求的场景。

六、典型应用场景

MOT50N06D 凭借 60V 耐压、50A 大电流及低导通损耗特性，典型应用包括：

• DC-DC 转换器：在 60V 级降压 / 升压转换器中作为主开关管，低损耗特性提升电源转换效率；
• 电机驱动：适用于小型直流电机的驱动控制，大电流能力支持电机高效启动与运行；
• 功率开关系统：如电池管理系统（BMS）的充放电控制、工业设备的功率切换等场景，适配 60V 以下的大电流功率控制需求；
• 高频开关应用：利用其高开关速度特性，在 PWM 控制的高频电路中实现稳定切换。

七、信息来源

仁懋电子（MOT）官方产品手册（注：上述参数基于手册标注整理，实际应用需以最新版手册及器件批次测试数据为准。）