SK海力士发布未来存储路线图

电子发烧友网综合报道，近日，韩国首尔举行的“SK AI Summit 2025”峰会上，SK海力士CEO郭鲁正（Kwak Noh-Jung）正式宣布了公司向 “全线AI存储创造者”（Full Stack AI Memory Creator）转型的战略新愿景，在迎接下一个AI时代之前，SK 海力士能深化其角色。
 
郭鲁正指出，AI的加速应用导致信息流量爆炸性增长，但存储性能未能与处理器进步保持同步，形成所谓的 “存储墙”障碍。为此，存储芯片不再只是普通元件，而是AI产业中的核心价值产品。
 
随着存储重要性的增加，SK海力士公司认为单纯的“供应商”角色已不足以满足市场需求。因此，新的目标是转型成为“全线AI存储创造者”，代表着SK海力士将做为共同架构师、合作伙伴和生态贡献者（co-architect，partner，and eco-contributor），在AI 计算领域超越客户的期望，通过在生态系统中积极合作，共同解决客户面临的挑战。为了实现新的愿景，郭鲁正也揭示了SK 海力士最新的产品阵容，包括定制化HBM（Custom HBM）、AI DRAM（AI-D）和AI NAND（AI-N）。
 
2026-2028年，SK海力士将会推出HBM4 16Hi 和 HBM4E 8/12/16Hi等标准解决方案，还有为客户定制的 HBM 解决方案。
 
其中，定制化HBM通过将原有系统半导体的部分功能转移至HBM基底芯片，实现最符合客户需求的数据处理性能。SK海力士将推出HBM4 16层堆叠产品，并从HBM4E开始供应定制化HBM解决方案。定制化HBM通过将协议和控制器从XPU芯片移至HBM基础裸片，为计算单元释放更多空间，显著降低接口能耗。
 
在DRAM方面，SK海力士除了将推出LPDDR6标准解决方案外，还将推出全新的AI-DRAM解决方案，包括2026年左右推出的LPDDR6X SOCAMM2、MRDIMM Gen2、LPDDR5R，以及2028年左右推出支持第二代CXL标准的LPDDR6-PIM。
 
在NAND方面，SK海力士将会推出PCIe Gen6 eSSD（245TB+QLC）/ cSSD、PCIe Gen6 eSSD/cSSD、UFS 5.0 等标准解决方案，还会推出全新的面向 AI NAND的 AI-N D（Density）解决方案。
 
2029-2031年，HBM5、HBM5E与3D DRAM问世，还有为客户定制的 HBM5和HBM5E等。
 
在DRAM方面，SK海力士将会推出 GDDR7-next、DDR6、3D DRAM等标准解决方案。GDDR7最高传输速率48Gbps，预计至少要到2027年至2028年才能得到充分利用；DDR6则预计是在2029-2031年商用；至于3D DRAM，则有点类似HBM，不过成本更低。
 
SK海力士还将会推出面向AI的AI DRAM（AI-D）产品，包括2029年左右推出的LPDDR6 SOCAMM2 、Al-D Expansion，以及2030年左右推出的第三代CXL标准的PIM-next。
 
在NAND方面，SK海力士将会推出PCIe Gen7 eSSD/cSSD、UFS6.0、400层以上堆叠的4D NAND等标准解决方案，以及面向AI的AI-N P（Performance）和AI-N B（Bandwidth）解决方案（比如HBF）。