3D NOR FLASH技术、AI服务器动能，多家厂商预估2026全年上涨

电子发烧友网报道（文/黄晶晶）继DRAM和NAND的价格不断上涨之后，日前NOR Flash也出现了惊人的高达30%涨幅。NOR Flash在AI服务器、手机、平板电脑、可穿戴等领域呈现出高容量、高性能等需求，叠加上游晶圆制造的产能紧张，供需失衡或导致其价格进一步上涨。
 
AI服务器需求推动
 
旺宏董事长吴敏求表示，因数据中心建置需求庞大，旺宏近几个月相关的NOR Flash需求升温。旺宏NOR Flash 近期在服务器与数据中心应用上出现回温迹象，主要需求集中在512Mb，也有1-2Gb 高容量的需求，预期随着频宽扩大、数据传输速率提升，未来3D NOR 技术也将成为关键。
 
在电子发烧友网早前的采访中，兆易创新也表示，在AI服务器端，国内算力芯片厂商如壁仞、摩尔线程的崛起，带动了兆易Flash在算力卡上的应用。这些算力卡通常需要8Mb-64Mb的SPI NOR Flash用于系统启动和固件存储，而7x24小时的高温运行环境对存储芯片的可靠性提出更高要求。此外，5G基站，WiFi6/7无线路由等传输设备同样需要兆易的存储方案，形成“云端-终端-传输”全场景覆盖。
 
NOR FLASH市场
 
NOR Flash 是一种非易失性存储芯片，具有读取速度快、可靠性强、可芯片内执行（XIP）等特点，在中低容量应用以及需要用低功耗完成内部指令执行、系统数据交换等功能的产品上具备性能和成本上的优势。通常用于存储设备引导程序、操作系统等代码和数据。NOR Flash 因其高可靠性和可芯片内执行的特点，适合于需要快速读取和执行代码的场景。
 
NOR Flash 广泛应用于计算机、消费电子（智能家居、TWS 耳机、穿戴式设备、路由器、机顶盒等）、汽车电子（高级驾驶辅助系统、车窗控制、仪表盘）、工业控制（智能电表、机械控制）、物联网设备等领域。
 
目前，NOR Flash主要包括基于浮栅技术的 ETOX 型和基于电荷俘获技术的SONOS 型两类主流基础工艺结构。随着半导体技术的进步，NOR Flash 的存储密度和性能也在不断提升，从而满足了日益增长的数据存储需求和更高的性能要求。
 
根据TechInsights 统计，NOR Flash 总体市场规模将在未来5年持续增长，2024年全球 NOR Flash市场规模达到26.19 亿美元，同比增长15.22%，2024-2029 年的年均复合增长率为 6.07%。
 

 
NOR Flash头部三家厂商分别为华邦电子、兆易创新以及旺宏电子，其中华邦电子、旺宏电子采用IDM模式经营，兆易创新等其他厂商主要采用 Fabless 模式经营，与其他代工厂合作。
 
代工方面，中芯国际、华虹集团、武汉新芯等是全球 NOR Flash 晶圆代工行业主要供应商。其中，武汉新芯是中国大陆地区规模最大的 NOR Flash 制造厂商，既有晶圆代工业务，也有自有品牌NOR Flash 业务。不过，自有品牌业务相对头部三家厂商较小，定位以晶圆代工为主。截至 2025 年 6 月末，武汉新芯12 英寸 NOR Flash 晶圆累计出货量已经超过 140 万片。
 
衡量 NOR Flash 晶圆代工先进性的最重要的关键技术指标为各厂商工艺节点情况，工艺节点越小，代表产品芯片的最小制程线宽越小，产品越先进。据介绍，武汉新芯ETOX 型和 SONOS 型 NOR Flash 晶圆代工量产节点分别为65nm/50nm、65nm/45nm。根据公开信息，中芯国际 NOR Flash 晶圆代工量产节点为 65nm/55nm，华虹公司 NOR Flash 晶圆代工量产节点为 0.35μm~55nm 并于2023 年 小 批 量 试 产 4Xnm ， 华 力 微 NOR Flash 晶 圆 代 工 量 产 节 点 为65nm/55nm/50nm。这三家NOR Flash 晶圆代工技术均居于全球范围内第一梯队，处于国际领先水平。
 
3D NOR FLASH技术
 
为了适应人工智能、智能汽车等产业发展，HBM、HBF、HBS等各类堆叠方案层出不穷。而在NOR Flash领域，这些应用也对更高密度、更快访问速度和更高可靠性的闪存提出更高要求。传统2D NOR Flash已近接物理和性能极限，其平面架构限制了其可扩展性。旺宏电子早前提出3D NOR Flash的研发方向。
 
旺宏的 3D NOR Flash是一种3D AND阵列架构。与传统NOR的通道热电子 (CHE) 相比，AND 阵列有利于FN 隧穿，从而实现更高的并行性，使其更适合NOR 闪存以更高的密度和更低功耗提供更快的写入带宽。
 
垂直堆叠技术可使3D架构在单个裸片上实现4Gb的存储密度，而2D架构的最大密度仅为512Mb。目前一般商用2D NOR flash最高容量在2Gb左右，需要堆叠4颗512Mb芯片，而旺宏的3D NOR flash单芯片实现4Gb，无需改变封装方式，避免堆叠封装键合对芯片可靠性的影响，满足更高的质量要求。还可以通过引入堆叠裸片配置来支持更高密度的应用，以提供高达8Gb的存储空间。
 
与2D NOR Flash相比，旺宏最新的32层3D NOR Flash在单个芯片中提供8倍的容量，具有更快的擦除和编程性能。该3D NOR Flash支持高速OctaFlash和传统QSPI接口，200MHz DDR，100K耐久性，具有汽车级可靠性和ISO26262功能安全性。
 
去年，旺宏电子董事长吴敏求表示，新品3D NOR国际客户询问度高，预计明年推出样品，根据测试结果最快有望2026年下半年推出，产品容量达4Gb，用于车用控制系统。
 
市场预期
 
华邦电子表示，基于原物料成本上升及终端需求回温，NOR价格预期自2025年第3季起将持续上涨，另外预期SLC NAND的供给在接下来几个季度仍将维持吃紧，推升价格进一步上涨。
 
针对存储进入超级循环周期的说法，旺宏电子吴敏求认为，目前仍难断言，不过，价格确实在涨，也确实有缺货现象，但要说缺口多大、能维持多久，现在都言之过早。
 
兆易创新表示，今年NOR Flash产品的开始涨价更多集中在中高端的产品，尤其是面向AI服务器的应用。同时，目前中小容量NOR Flash产品也出现涨价趋势。NOR Flash整体产能是联动的，其中大容量产品单颗价值高，对产能的消耗量大，在供应出现紧缺的时候，大容量产品会较早出现涨价，并逐渐传导到中小容量产品。
 
兆易创新进一步认为，NOR Flash已经处于相对成熟发展阶段，行业的增长主要来源于代码量的提升，当前端侧AI的发展进一步推动NOR Flash容量需求的提升，近期三方咨询机构已经把行业CAGR从5~7%上调至8%。NOR Flash也处于为温和涨价周期中，源于产能端的紧缺，公司顺应市场需求变化对价格做出适当调整，9月开始陆续落地。
 
长期来看，兆易创新将继续推动NOR Flash市场份额的提升，Fabless的商业模式使我们在增加产能方面可以相对灵活。继续推动NOR Flash在工业、汽车、端侧AI和海外市场市占率的提升。坚持全球化布局，包括海外供应链的布局。
 
考虑到NOR Flash产品的产能弹性不足。如果公司产品能取得更大的市占率，会与晶圆厂争取更多的产能支持。在目前产能紧张的情况下，明年产品成本会有上升，公司会与核心供应商积极协商，争取得到产能和价格上的支持。
 
随着AI应用的推广，代码总量在不断上升，长期看对NOR Flash产品总的容量需求维持长期稳定增长的状态，预期NOR Flash会处于供需相对偏紧的状态。预计NOR Flash明年全年仍会维持价格整体温和上涨的节奏。
 
恒烁目前NOR FLASH量产出货的容量范围为1Mb - 256Mb,其中32Mb - 128Mb容量区间产品占公司NOR FLASH 营收的 60%。一方面由于代工和封测成本压力,另一方面受益于整体存储市场行情向好,且NOR FLASH 价格在底部徘徊已久,叠加下游客户对于未来价格预期的变化,NOR FLASH有望在四季度实现价格上涨,具体涨价幅度及落地情况还要根据后续订单实现情况确定。