新品 | 第二代CoolSiC™ MOSFET G2 1400V，TO-247PLUS-4回流焊封装

新品

第二代CoolSiC MOSFET G2 

1400V, TO-247PLUS-4回流焊封装

 

采用TO-247PLUS-4回流焊封装的CoolSiC MOSFET G2 1400V功率器件，是电动汽车充电、储能系统、工业变频器等大功率输出应用的理想选择。

 

第二代1400V CoolSiC MOSFET 前沿技术具有前沿性，可显著提升热管理性能、功率密度及系统可靠性。其封装支持回流焊工艺（可承受三次回流焊循环），有助于降低热阻并承载高峰值电流。

 

产品型号：

■ IMYR140R008M2H

■ IMYR140R019M2H

 

 

产品特点

 

极低的开关损耗

封装背面适用于260°C高温回流焊，且可承受三次焊接过程

最高结温（Tvj）达200°C的过载运行能力

短路耐受时间达2 µs

基准栅极阈值电压VGS(th)为4.2V

抗寄生导通能力强，可施加0V关断栅极电压

采用.XT 扩散焊技术，实现业界领先的热性能

宽电源引脚（2mm），提供高电流承载能力

可电阻焊管脚，允许母排直连

TO-247PLUS封装，具有10.8mm高爬电距离及CTI≥600V

 

应用价值

 

提升功率密度

增大系统输出功率

提高整体效率

增强对瞬态过载、雪崩条件及米勒效应的耐受性

简化针对过流事件的系统设计

易于并联

 

竞争优势

 

支持1000V以上电压等级的设计

回流焊组装工艺有助于实现更低热阻

在最高工作电压1000V的应用中：提供充足电压裕度，支持高峰值电流下的更快开关速度

高功率密度有助于缩小系统整体尺寸

 

应用领域

 

商用、工程及农用车辆 (CAV)

电动汽车充电设施

储能系统 (ESS)

在线式UPS/工业级不间断电源

组串式逆变器

通用变频驱动器 (GPD)