电子发烧友网综合报道,日前,受到存储芯片结构性调整带来的部分产品缺货涨价的影响,以及出于优化能耗的考虑等,一些芯片厂商已经开始转向新的存储产品例如LPDDR5/5X的迁移。包括英伟达、瑞芯微等厂商都发布了相关切换举措。
瑞芯微RK3588适配长鑫存储LPDDR5 系列芯片
由于DDR4、LPDDR4 等前代产品的供应链紧张态势难以缓解,瑞芯微自 2021 年起便启动 LPDDR5/5X 颗粒适配工作,历经近五年技术沉淀与实践验证,已积累丰富的产品化经验。瑞芯微表示,在当前的存储市场背景下,RK3588和RK3576依然是客户面向未来的最优SoC 选择。
长鑫存储作为国内 DRAM 产业的领军企业,其技术迭代进度与产能释放节奏对下游应用生态构建具有关键支撑作用。其LPDDR5 系列芯片的推出,为国内 AIoT 产业核心部件的自主化供应提供了强有力保障。
近年来,瑞芯微已完成对长鑫存储 DDR4/LPDDR4/LPDDR4X/LPDDR5/LPDDR5X 颗粒的全面兼容性验证与适配优化,实现技术协同落地。相关LPDDR5颗粒型号如下:
瑞芯微已经正式开放 RK3588 与 RK3576 系列的 LPDDR5/5X 方案模板,助力客户加速产品设计转型,从容应对市场供应链变化。
方案模板中包含的245 球(12.5x8.3mm)LPDDR5/5X 封装为新增行业标准。相较于传统 315 球(12.4x15mm)封装,其面积缩减近 50%。智能手机市场转向分离式存储设计过程中,该封装方案已呈现明显选型偏好。为应对后续存储市场波动、拓宽供应渠道,瑞芯微已提前完成该封装类型的适配开发工作。
未来,瑞芯微将持续跟踪全球存储市场动态,深化与长鑫存储等国产存储厂商的技术协同与生态融合,为 AIoT 终端客户提供性能、供应链稳定性与成本控制三者兼顾的优质解决方案。
英伟达AI服务器DDR5转LPPDR5X
近日,市场研究机构Counterpoint Research发布报告称,英伟达近期决定将AI服务器的内存芯片从传统服务器使用的DDR5转向通常用于手机和平板电脑的低功耗LPDDR芯片,以降低服务器能耗成本。
报告中指出,英伟达此次技术路线调整将对内存供应链造成"地震式"冲击。该公司原本采用DDR5内存芯片用于AI服务器,但近期决定转向LPDDR低功耗内存芯片。
分析指出,服务器内存价格上涨将提高云服务提供商和AI开发商的成本,进一步加大数据中心预算压力。目前这些企业已因图形处理器和电力升级的创纪录支出而面临财务紧张。Counterpoint预计,2025年第一季度至2026年底,服务器内存芯片DDR5 64GB RDIMM DRAM模块价格将上涨一倍。这一价格上涨将直接推高云服务提供商和AI开发商的运营成本。
不过,Counterpoint表示,目前的供应链尚未做好应对这一规模需求的准备。低端市场的供应紧张存在向上传导的风险。芯片制造商目前正权衡是否将更多工厂产能转向LPDDR生产以满足英伟达的需求,这可能进一步加剧其他内存产品的供应紧张。
闪存市场指出,英伟达在其AI服务器中搭载LPDDR5X的SOCAMM2模块应用中将引入更多供应商,而高频率高容量的LPDDR5X/D5同样需要采用1bnm等先进DRAM制程。因此,2026年存储原厂将继续缩减1znm制程供应,加速转向1b/1cnm、1γ等先进DRAM制程,以满足AI服务器市场的新增存储需求。
SOCAMM技术定位为面向AI服务器的新型高带宽、低功耗内存解决方案,其设计目标是在提供与HBM(高带宽内存)相近性能的同时,有效降低成本。通过将LPDRAM与压缩连接内存模块 (CAMM) 搭配使用,以革命性的全新外形尺寸提供卓越的性能和能效,相比传统的DDR5 RDIMM 配置更节省空间,且功耗低三分之一。
美光对 LPDDR5X 内存(通过 NVLink 与 NVIDIA GH200 Grace Hopper Superchip 连接)和传统 DDR5 内存(在 x86 系统上通过 PCIe 与 Hopper GPU 连接)进行了对比测试,结果表明,LPDDR5X 内存可实现至关重要的性能提升。在使用 Meta Llama3 70B 测试推理性能时,低功耗内存系统相比传统内存的表现,推理吞吐量提高 4 倍,延迟降低近 80%,能耗降低 73%。
图源:美光科技
随着 AI 的发展,对数据中心内部计算和内存的需求越来越高,类似 LPDDR5X 之类的先进内存技术正在助力数据中心实现可持续计算,使数据中心的运营更有效率。低功耗内存可加速推理等 AI 任务的性能,同时减少用电量,使数据中心能以更低成本完成更多工作。低功耗内存的使用实践表明,未来的 AI 应用可以是节能型应用。
Q4 LPDDR预估
闪存市场发布2025年Q4存储市场展望报告指出,预计四季度,服务器eSSD涨幅将达到10%以上,DDR5 RDIMM价格涨幅约10%~15%;Mobile嵌入式NAND涨幅约5%~10%,LPDDR4X/5X涨幅约10%~15%;PC端LPDDR5X/D5价格涨幅预计将落在10%~15%,cSSD价格涨幅达5%~10%。
闪存市场表示,由于原厂产能持续向服务器市场倾斜,持续削减旧制程的LPDDR4X供应,同时部分9600MHz LPDDR5X供应与服务器DRAM产能冲突,嵌入式DRAM供应呈现明显短缺的市况,LPDDR4X缺货对部分手机品牌出货造成实际影响。另外,消费端对12GB LPDDR5X机型的实际需求有所增加,近期手机厂商陆续加单12GB LPDDR5X,而原厂面向Mobile市场的LPDDR5X供应满足率偏低,令LPDDR4X/5X价格保持涨价的趋势,Tier1手机客户LPDDR4X/5X ASP将超过$0.35/Gb,不排除部分DRAM原厂的LPDDR4X价格将超过LPDDR5X。
AI PC搭载的LPDDR5X与部分服务器DRAM形成产能挤占效应,原厂优先保障服务器DDR5/LPDDR5X供应,推动DRAM资本支出和产能供应向高利润的服务器 DRAM倾斜。PC DRAM整体供应有限下,预计四季度原厂对PC DDR5/LPDDR5X产品的价格涨幅将达到10%~15%。