onsemi EVBUM2897G-EVB评估板设计用于比较测量各种分立封装的Elite SiC MOSFET和IGBT。Onsemi EVBUM2897G-EVB电路板使用户能够快速测试和评估六种封装类型器件的开关性能:TO247-3L、TO247-4L、D2PAK-7L、BPAK7、TOLL和POWER88。该系统为性能测试和设备比较提供了高效的解决方案,具有离散DPT功能,可简化操作。
数据手册:*附件:onsemi EVBUM2897G-EVB 评估板数据手册.pdf
特性
- 四层FR4印刷电路板,铜厚70µm
- 低电感PCB布局
- 专为支持高达1200V的设备而设计
- 隔离式单栅极驱动器,带2.5kV绝缘材料
- 可选电解质或薄膜电容器 直流链路
- 集成电流测量互感器
- 集成绕线空气电感器80µH
- 直流链路高达1100V
框图

基于onsemi EVBUM2897G-EVB评估板的双脉冲测试技术详解
一、评估板核心架构
1.1 主板设计特点
- PCB结构:4层FR4板材,铜厚70mm,低电感布局设计
- 电压支持:最高支持1200V器件测试,DC链接电压最高1100V
- 驱动隔离:独立单通道栅极驱动器,2.5kV绝缘等级
- 保护机制:支持READY故障功能,在电源初次上电时自动进入故障状态
1.2 关键功能模块
- 栅极驱动系统:采用NCD57084驱动器,支持外部PWM信号输入
- 电流测量:集成电流互感器(CT),提供10倍衰减比
- 电感组件:空芯绕线电感80mH,可承受150A脉冲电流
- 电容配置:可选电解电容或薄膜电容DC链接
二、子卡系统详解
2.1 封装兼容性
评估板提供6种子卡,全面覆盖主流功率器件封装:
| 封装类型 | 安森美订单号 | 支持器件示例 |
|---|
| TO247-3L | RA0771EB | NTHL022N120M3S |
| TO247-4L | RA0770EB | NTH4L022N120M3S |
| D2PAK-7L | RA0772EB | NTBG022N120M3S |
| BPAK-7 | RA0769EB | NTTC040N120M3S |
| TOLL | RA0773EB | NTBL045N065SC1 |
| POWER88 | RA0774EB | NTMT045N065SC1 |
2.2 子卡设计特性
- 包含两个晶体管(DUT1低侧,DUT2高侧),构成半桥拓扑
- 支持VGS、VDS电压测量,提供专用测试点
- 可选栅极电容配置,用于调节栅极振荡
- 底部安装孔设计,支持热板温度测试
三、测试配置与操作指南
3.1 电气规格
- 工作电压:DC输入840VDC(最大900VDC)
- 栅极驱动电压:标准配置+18V/-3V输出
- PWM输入电平:低电平0-1.5V,高电平3.5-5V
- 电流消耗:5V电源约100mA
3.2 测量设置
- 信号连接:
- IN1:低侧DUT PWM输入
- IN2:高侧DUT PWM输入
- 推荐使用AMPHENOL RF 135101-01-24.00 SMA电缆
- 探头配置:
- VGS测量:兼容Lecroy、Tektronix被动探头
- VDS测量:必须使用差分探头或隔离示波器
- ID测量:支持电流互感器或Rogowski线圈探头
3.3 操作流程
- 选择对应子卡并安装至主板
- 连接VGS、VDS、ID探头及BNC电缆
- 设置信号发生器参数(如VPWM=5V,10脉冲,30kHz)
- 连接电源并逐步增加高压电源电压
- 监测波形并调整栅极电阻优化性能
四、栅极电阻优化策略
4.1 参数权衡
- 低RG值(如3.9Ω):高速开关、低损耗、高VDS过冲
- 高RG值:低速开关、高损耗、低VDS过冲
- 评估板标配RG_ON=3.9Ω,RG_OFF未焊接
4.2 调谐选项
- 支持两个SMD 1206封装电阻并联
- 可选通孔电阻(如R0204型)实现免焊接快速调谐
五、测试结果与分析
5.1 典型测试条件
- 直流电压:400-800VDC
- 脉冲电流:50-100A
- 栅极电阻:3.9Ω-6.8Ω
- 结温:25℃
- 栅极电压:+18V/-3V
- 脉冲宽度:1.0-1.6ms
5.2 性能对比
基于实际测试数据,不同封装器件在相同条件下的表现:
- 开关速度:di/dt在4380-6580A/ms范围
- 开关损耗:EON+EOFF总计520-572mJ
- 过冲控制:VDS过冲必须不超过MOSFET的VDSS额定值
六、安全注意事项
- 高压警告:DC链接存在高压,LD3指示灯亮起时禁止接触主板
- 防护措施:必须由受过安全标准培训的专业人员在实验室环境操作
- 电容放电:断开电源后需等待数分钟确保DC链接完全放电