安森美 NCP402045集成驱动器/MOSFET在单一封装中集成了MOSFET驱动器、高侧MOSFET、 和低侧MOSFET。该元件优化用于大电流直流-直流降压电源转换应用。该器件具有快速开关能力、低导通损耗和高集成度，有助于优化系统效率，同时最大限度地减少热管理问题。与分立元件解决方案相比，安森美 NCP402045集成解决方案显著减少了封装寄生效应和电路板空间。

数据手册：*附件：onsemi NCP402045集成驱动器和MOSFET数据手册.pdf

特性

• 平均电流能力高达45A
• 能够以高达2MHz频率进行开关
• 峰值电流 (10ms) 高达75A
• 兼容3.3V或5V PWM输入
• 正确响应3级PWM输入
• 通过3级PWM实现零交叉检测选项
• 内部自举二极管
• 欠压锁定
• 支持Intel^®^ IMVP9.1/9.2低功耗特性
• 热警告输出
• 热关断
• PQFN31 封装
• 无铅，符合RoHS指令

应用电路原理图

框图

onsemi NCP402045集成驱动器和MOSFET技术解析

产品概述

NCP402045是一款高度集成的功率转换解决方案，将MOSFET驱动器、高边MOSFET和低边MOSFET整合在单一封装内。该器件专为大电流DC-DC降压功率转换应用进行优化，相比分立元件解决方案，显著降低了封装寄生参数和电路板空间占用。

核心特性

‌功率性能‌

• 平均电流支持高达45A
• 峰值电流（持续10ms）可达75A
• 开关频率最高2MHz
• 兼容3.3V或5V PWM输入

‌保护功能‌

• 欠压锁定保护
• 热警告输出
• 热关断保护
• 内部自举二极管

‌控制特性‌

• 正确响应三电平PWM输入
• 支持零电流检测（配合三电平PWM）
• 支持Intel IMVP9.1/9.2低功耗特性

电气参数详解

工作条件

• ‌电源电压范围‌：VCC/VCCD为4.5-5.5V（典型值5.0V）
• ‌转换电压范围‌：VIN为4.5-20V（典型应用12V）
• ‌结温范围‌：-40℃至+125℃

关键性能指标

‌输出电流能力‌

• 开关频率1MHz，VIN=12V，VOUT=1.0V：最高40A
• 开关频率300kHz，VIN=12V，VOUT=1.0V：最高45A
• 峰值电流条件：开关频率500kHz，VIN=12V，VOUT=1.0V：最高75A

‌功耗特性‌

• 正常工作电流（IVCC_NM）：典型值10.5mA
• 多种待机模式电流，最低可达25μA

引脚功能分析

‌控制引脚‌

• ‌PWM‌：PWM控制输入和零电流检测使能
• ‌ SMOD# ‌：跳跃模式引脚，支持三态输入
• ‌ DISB# ‌：输出禁用引脚，内部带下拉电阻

‌电源管理引脚‌

• ‌VCC‌：控制电源输入
• ‌VCCD‌：驱动器电源输入
• ‌VIN‌：转换电源功率输入（引脚8-11）

‌保护监测引脚‌

• ‌THWN‌：热警告指示器，开漏输出

应用设计要点

自举电路设计

集成自举二极管配合外部自举电容（CBST）为高边驱动器供电。建议使用容量大于100nF的多层陶瓷电容，可选择串联1-4Ω电阻以减小VSW过冲。

电源去耦

• VCCD引脚需靠近放置低ESR电容（1-4.7μF MLCC）
• VCC引脚需配置1μF陶瓷电容
• 建议在VCC和VCCD去耦电容间使用10Ω电阻隔离噪声

PCB布局建议

• 功率路径需短而宽以减小寄生电感
• 信号地与功率地合理分离
• 散热焊盘需充分连接至地平面

典型应用场景

‌移动计算设备‌

• 笔记本、平板电脑和超极本
• 适用于处理器核心供电和系统电源管理

‌高性能计算‌

• 显卡供电
• 台式机和一体机电脑的V-Core及非V-Core转换器

‌工业应用‌

• 大电流DC-DC负载点转换器
• 高功率密度电源设计

保护机制

‌热管理‌

• 热警告阈值：典型值150℃
• 热关断阈值：典型值180℃
• 热警告滞后：典型值15℃

‌电压保护‌

• VCC欠压锁定：启动阈值4.2V，滞后300mV
• 自举UVLO：上升阈值3.7V，下降阈值3.4V