选型手册：VS4020AP N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

威兆半导体推出的 VS4020AP 是一款面向 40V 低压大电流场景的 N 沟道增强型功率 MOSFET，支持 5V 逻辑电平控制，凭借极低导通电阻与高可靠性，适用于 DC/DC 转换器、同步整流、负载开关等领域。

一、产品基本信息

• 器件类型：N 沟道增强型功率 MOSFET
• 核心参数：
  • 漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：40V，适配低压大电流供电场景；
  • 导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\) 时典型值 4.0mΩ，\(V_{GS}=4.5V\) 时典型值 5.5mΩ，低压场景下传导损耗极低；
  • 连续漏极电流（\(I_D\)）：\(T=25^\circ\text{C}\) 时 80A，\(T=100^\circ\text{C}\) 时降额为 50A；脉冲漏极电流（\(I_{DM}\)）达320A，满足负载瞬时大电流需求。

二、核心特性

• 5V 逻辑电平控制：适配 5V 逻辑驱动电路，无需额外电平转换，简化系统设计；
• 极低导通电阻：4.0~5.5mΩ 导通电阻设计，大幅降低低压大电流场景下的传导损耗；
• 高可靠性：通过 100% 雪崩测试，单脉冲雪崩能量达 90mJ，感性负载开关场景下稳定性强；
• 环保合规：采用无铅引脚镀层，符合 RoHS 标准，适配绿色电子制造需求。

三、关键电气参数（\(T=25^\circ\text{C}\)，除非特殊说明）

参数	符号	数值	单位
漏源极击穿电压	\(V_{DSS}\)	40	V
栅源极电压	\(V_{GS}\)	±20	V
连续漏极电流（\(T=25^\circ\text{C}\)）	\(I_D\)	80	A
连续漏极电流（\(T=100^\circ\text{C}\)）	\(I_D\)	50	A
脉冲漏极电流	\(I_{DM}\)	320	A
单脉冲雪崩能量	\(E_{AS}\)	90	mJ
最大功耗	\(P_D\)	45	W
结 - 壳热阻	\(R_{thJC}\)	2.8	℃/W
结 - 环境热阻	\(R_{thJA}\)	30	℃/W
工作 / 存储温度范围	\(T_J、T_{STG}\)	-55~+150	℃

四、封装与应用场景

• 封装形式：PDFN5x6 表面贴装封装，包装规格为 3000pcs / 卷，适配高密度电路板的空间约束；
• 典型应用：
  • DC/DC 转换器：在低压降压、同步整流拓扑中作为开关管，低损耗特性提升电源转换效率；
  • 负载开关：用于中大功率负载的通断管理，80A 连续电流能力支持各类设备的电源控制；
  • 电源管理系统：为低压电源分配回路提供高效开关，保障系统功耗控制与稳定性。

五、信息来源

威兆半导体官方产品手册（注：以上参数基于手册标注整理，实际应用需以最新版手册及器件批次测试数据为准。）