MDD辰达半导体N沟道MOSFET在BMS中的应用

1工作原理

储能系统已成为构建新型电力系统的关键环节，而电池管理系统BMS在储能中的作用有哪些，在11.11的研讨会直播上，MDD高级FAE对该问题进行了深入解析。

 

BMS的核心使命是确保电池组安全、高效、长寿。它通过实时监测电池电压、电流、温度等参数，实现三大核心保护功能：

01过充/过放保护：电压超限时切断相应MOSFET回路

02过流/短路保护：极短时间内(<100ms)关断放电MOSFET

03过温保护：温度异常时禁止充放电操作，防止热失控。

在短路保护场景中，回路内阻极小(约100mΩ)，瞬间电流可达数百至数千安培，这对MOSFET的抗冲击能力提出极高要求。

2MOS在BMS中的应用

在储能BMS中，充放电控制和主动均衡是两大关键电路，都离不开高性能的MOSFET。MDD辰达半导体推出的MDDG03R04Q与MDDG04R06Q两款N沟道MOSFET，采用先进的SGT工艺，轻松应对BMS中的会遇到的挑战。

01低导通内阻，带来更高效率

MDDG03R04Q的导通电阻最大仅4.3mΩ，在正常充放电时能显著减少导通损耗，降低温升，从而提升整个储能系统的能量转换效率，这对于需要长时间运行的储能设备至关重要。

02强大的抗浪涌能力，守护系统安全

MDDG03R04Q的连续漏极电流高达80A，脉冲电流更达300A，能够承受瞬间的巨大电流冲击，确保在故障发生时能快速、可靠地切断电路，为整个电池包筑起最坚固的安全防线。

03更高的耐压与更低的开关损耗

MDDG04R06Q 耐压可达40V，适用于更宽的工作电压范围。总栅极电荷Qg 极低(典型值 17nC)，意味着驱动损耗更低，开关速度更快，对驱动电路的要求也更低。

04小封装，节省系统空间

采用紧凑的封装PDFN3*3-8L，有助于BMS设计工程师优化PCB板布局，实现产品的小型化与高集成度。

3选型推荐

随着储能市场向高可靠性、高效率方向发展，MOSFET作为BMS中的关键执行器件，其性能直接影响系统安全。MDD的MOSFET产品以其低内阻、高抗浪涌和优异热稳定性等特性，为储能BMS提供可靠保障，助力能源结构转型。

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深圳辰达半导体有限公司(简称MDD辰达半导体)是一家专注于半导体分立器件研发设计、封装测试及销售的国家高新技术企业。

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