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在当今的电力电子领域,碳化硅(SiC)技术凭借其出色的性能优势,正逐渐成为众多应用的首选。onsemi 的 NXH008P120M3F1 功率模块,作为 SiC 技术的杰出代表,为工程师们带来了新的设计思路和解决方案。今天,我们就来深入了解一下这款模块。
文件下载:onsemi NXH0xxP120M3F1碳化硅 (SiC) 模块.pdf
NXH008P120M3F1 是一款采用 F1 封装的功率模块,内部集成了 8 mΩ/1200 V 的 SiC MOSFET 半桥和一个热敏电阻。它具有多种特性,如提供预涂覆热界面材料(TIM)和未预涂覆 TIM 的选项,以及压配引脚。同时,该器件符合无铅、无卤和 RoHS 标准,环保性能出色。

这款模块的典型应用场景广泛,涵盖了太阳能逆变器、不间断电源(UPS)、电动汽车充电站和工业电源等领域。这些应用对功率模块的性能、效率和可靠性都有较高的要求,而 NXH008P120M3F1 正好能够满足这些需求。
模块采用 PIM18 33.8x42.5(PRESS FIT)CASE 180BW 封装,这种封装形式具有良好的机械稳定性和散热性能。
模块共有 18 个引脚,每个引脚都有明确的功能。例如,引脚 1、2、5、6 为直流正母线连接(DC+);引脚 9 - 12 为直流负母线连接(DC-);引脚 13、14、17、18 为半桥中心点连接(PHASE)等。在设计 PCB 时,需要根据引脚功能合理布局,以确保电气连接的正确性和稳定性。
模块的最大额定值规定了其正常工作的范围。例如,漏源电压(VDS)最大为 1200 V,栅源电压(VGS)范围为 +22/-10 V,连续漏极电流(ID)在 80°C(TJ = 175°C)时为 145 A,脉冲漏极电流(IDpulse)在 TJ = 150°C 时为 436 A 等。在使用过程中,必须严格遵守这些额定值,以避免模块损坏。
文档中提供了大量的典型特性曲线,如 MOSFET 典型输出特性曲线、开关损耗与漏极电流和栅极电阻的关系曲线、反向恢复能量与漏极电流和栅极电阻的关系曲线等。这些曲线可以帮助工程师更好地了解模块的性能特点,从而优化设计方案。例如,通过开关损耗与漏极电流和栅极电阻的关系曲线,可以选择合适的栅极电阻,以降低开关损耗,提高模块的效率。
onsemi 的 NXH008P120M3F1 功率模块凭借其出色的电气性能、热性能和绝缘性能,在众多应用领域具有广阔的前景。然而,在实际应用中,我们也需要注意一些问题。例如,如何根据具体的应用场景选择合适的散热方案,以确保模块在不同的工作条件下都能保持稳定的性能;如何优化 PCB 布局,以减少电气干扰和寄生参数的影响等。希望通过本文的介绍,能够帮助工程师们更好地了解和应用这款模块,为电力电子设计带来更多的创新和突破。
你在使用类似功率模块的过程中,遇到过哪些挑战和问题呢?欢迎在评论区分享你的经验和见解。
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